This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LP38852:LP38852MRX-ADJ/NOPB 的散热

Guru**** 2445440 points
Other Parts Discussed in Thread: LP38852

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1537464/lp38852-heat-loss-of-lp38852mrx-adj-nopb

部件号:LP38852

工具/软件:

大家好!

为了提高该器件的输出电压、我的客户决定移除输入侧的压降二极管 (Di)。

我们 测试了使用和不使用 Di 的温升评估(接触式)。

但是、计算得出的值表明、移除 Di 后、LDO 增加了 40°C、而测试结果表明、LDO 仅增加了大约 1.5°C。

温度不是很热,不能触摸。

请告知制造商对计算值与测量值之间的差异的意见。

2 Di 并不足以满足 LDO 所需的压降电压、因此我们改为 1 Di。

正向电流(如果):0.9 [A]
DI 压降 (VDI):0.5 [V]
Iout=如果
Di Deletion (Vdo)→0.1→0.5 [V]后 μ s 之前

此致、

柳介

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好  Ryusuke、

    您能否分享导致 40°C  递增的计算结果?

    稳压器的封装是什么? {KTW (DDPAK/TO-263)、NDZ (TO-220 ) 或 DDA (SO PowerPAD)}

    此致、

    Daniel

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Daniel:

    感谢您的答复。 我将向客户确认计算结果。

    他们的封装是 DDA。 PN 为 LP38852MRX-ADJ/NOPB。

    此致、

    柳介

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好  Ryusuke、

    感谢您分享软件包类型。

    客户是否能够捕获安装在 PCB 上的器件的热像图?  

    是否在器件顶部观察到了 1.5°C 的温度升高?

    请注意、结至外壳(顶部)热阻为 54.6°C/W、它大于 4.3°C/W 处的结至外壳(底部) 、因此预计会有更多热量通过器件底部的散热焊盘散发到 PCB 中。 这将导致在器件顶部观察到较低的温度。

    此致、

    Daniel

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Daniel:

    我发送了下面的测量方法和计算公式。

    我希望有任何意见。

    【测试方法】
    点型温度计用于“(触点型)温升比较测试“。 它用胶带连接到 IC 表面。
    器件:LP38852MRX-ADJ/NOPB
    ⓪ μ A 电流消耗:0.9A
    ① 外壳外的环境温度
    DI:25.4°C
    DI 移除:25.0°C
    ② LP38852 在基板上的环境温度
    DI:31.3°C
    拆卸后的 DI:31.9°C
    ③ LP38852 的表面温度
    DI:40.0°C
    拆卸后的 DI:42.1°C
    ④ 温度包括 Di (3)-(2):8.7°C
    ⑤ 拆卸 Di 时的温度 (3)-(2):10.2°C
    ⑤-(4) 之间的差值为 1.5°C

    计算公式:
    θja:铜箔具有实心 GND、因此计算很困难。
    使用 10 mm*0.25 mm 表面作为最小范围进行计算。 (0.4*0.1 英寸)=0.04
    两端安装了最小气流为 0.69m3/min 的风扇、并具有相当大的气流。 根据数据表、应考虑 Δ θja = 98°C/W(饱和值)。

    总 θja 电流与 Δ I 之间的关系:
    VDO:500mV
    Pd (PASS)=(2.5-0.5-1.5)* 0.9=0.45 W
    Pd (BIAS)=(5.3*0.003)= 0.0159 W
    Pd (in)=(1.5*0.007)= 0.0105 W
    Pd = 0.45+0.0159+0.0105= 0.4764W

    ΔTj =125-(45+15) 65°C *假设基板上的环境温度为+15°C
    Θja μ ΔTj Pd = 65/0.4764= 136.4°C/W

    消耗电流的评估结果:0.9A
    θja 采用 98°C/W:0.4764 W * 98°C/W = 46.6872°C 温升
    tjmax –45°C、- 46.6872°C、+33.3128°C

    ΔTj R θ θja <Δ t/ Pd 来确定环境温度容差 X
    98°C/W (125°C、- 45°C - X)/0.4764 W
    98<(125-45-33.3128)/0.4764
    98<98、环境温度容差为+33.3128°C。

    温升被认为约为 46°C。
    实际机器评估结果中、Vdo 的差值为 100mV⇒500mV。
    IC 温升差为+1.5°C。

    此致、

    柳介

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好  Ryusuke、

    感谢您提供详细的分析。 在我对提供的数据进行分析时、请留出额外的工作日。

    此致、

    Daniel

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好  Ryusuke、

    计算得出的温升缺少几个影响器件和 PCB 散热能力的因素。   θja =(饱和值)的假设似乎相当高,因为 98°C/W 封装的 Rθja 是 48.4°C/W(参见数据表中的表 6.4 : www.ti.com/.../lp38852.pdf )  。 观察外壳顶部和“基板上的环境温度“之间的温差并不足够、因为对流、空气流动、PCB 设计等因素确实会影响散热的方式。 在静止空气中进行 JEDEC 定义的 RθJA 测量时、芯片产生的功率几乎有 70%至 95%从测试板耗散、而不是从封装的表面散发。  为了更全面、更详细地分析热指标、建议使用以下应用手册: https://www.ti.com/lit/an/spra953d/spra953d.pdf?ts = 1752510651967

    此致、

    Daniel