[参考译文] UCC28180：UCC28180

尊敬的团队和 Tom：

请恢复在 UCC28180 上列出的问题。 请参阅 CE 扫描。  

e2e.ti.com/.../4212.CE-Observation-PFC-650W-_2800_-UCC28180_2900_-RV01.pdf

通常、该频率范围内的噪声来自开关节点上的高 dv/dt 和 di/dt。  

请尝试尽可能减小布局中的电流/电压环路、并考虑添加或修改如下所示的缓冲器元件。 FET 选择在这里也起着重要作用。

此致、

Ning

确定不好感谢你的评分

了解升压二极管上 RC 缓冲器的情况、

1.R = 44E、C = 330P

2. R = 44E、C = 100P （因为二极管的 Cj 为 20<xmt-block1> pF</xmt-block>）</s> pF

在 testing.e2e.ti.com/.../CE-Observation-PFC-650W-_2800_-UCC28180_2900_-RV02_2D00_21072025.pdf 期间不会观察到缓冲电阻器发热

CE 结果在 3 到 5MHz 的频率范围内以及在 14MHz 下失败。 请参阅 CE 扫描  

如果缓冲器不有效、我们需要深入研究。  

EMI 是一个系统级问题。 布局和滤波器元件选择在这方面发挥着重要作用。

您能分享他们的布局和 BOM 选择吗？

尊敬的 Ning Tan：

晚上好、

PFC 转换器规格–650W

• 输入电压：230 VAC
• 输出电压：396 VDC
• PFC 开关频率：70kHz  

输入滤波器配置

按照以下元件规格实现了两级 EMI 输入滤波器：

• Y2 电容器：
  • C3、C8 = 2.2nF  
  • C5、C8A = 220 pF  
• X2 电容器：
  • C1、C2 = 820nF  
  • C5 = 220nF  
• 共模扼流圈：

• L1、L2 = 2.2mH/4A   
• 部件号：744823422

请参阅输入原理图 Detailse2e.ti.com/.../Input-Filter-Component-Selection-PFC-650W-RV01-_2D00_21_2D00_07_2D00_202.pdf

您好 BR Kadam,  

首先、TIDA-00443 参考设计 CE 结果符合 EN 55011（第 1 组）的 A 类等级（如设计指南中图 33 和 34 上方的文本段落以及 CE 图中的限制线所述）。  图 33 和图 34 的图标题错误地将符合 B 类限制的情况归结为合规性。  TIDA-00443 的 CE 结果 不满足 B 类限制。  标题与文本相矛盾、标题错误。  

根据 TIDA-00443 设计及其原理图、在设计中执行的 RC 缓冲器试验使用了值。
在测试结果中、与试验 1 (330pF) 相比、试验 2 (100pF) 中的~Ω 14MHz QP 噪声小但明显增加。  
这表明升压二极管上的缓冲器确实会对高频噪声产生一定的影响、但不足以满足您的系统需求。  

 应根据系统中使用的元件定制生成的缓冲器、而不是简单的 TIDA 设计副本、除非您实际使用的是 TIDA 设计的所有相同元件。   
我还建议考虑在开关 MOSFET 上添加缓冲器、并修改与 MOSFET 开关相关的 dV/dt 和/或 di/dt。  

对于缓冲电阻器温升、我预计在电容为 330pF 时功率损耗为 1/2 * Csnub * 400V ~2 * 70kHz =^1.85W。
额定电压为 2W 的电阻器肯定会变得很烫、功耗如此之大。  
请检查缓冲器连接、以确保 R-C 实际上连接在二极管上。  
还要检查电阻值、确认其为（以前）44 Ω、而不是错误地高得多的值。

此致、
Ulrich

尊敬的 Ulrich：

感谢您关于 RC 缓冲器试验的详细观察结果和建议、以及 TIDA-00443 参考设计中关于 A 类和 B 类 CE 测试结果的阐述。

初始试验中使用的缓冲器元件值来自 TIDA-00443 参考设计、由 E2E 论坛团队共享、

• R-C 缓冲器的物理放置方式位于二极管两端。

• 电路中用于确认的实际电阻值为 44.6Ω（测量值）。

  我正在寻求您对有关 EMI 优化的后续步骤的支持。

  根据您宝贵的输入、我想继续进一步调整专为本设计定制的缓冲器值、而不是依赖 TIDA-00443 的参考值。 非常感谢您对此方法以及相关输入滤波器元件值的指导。

  此外、感谢您对电流输入滤波器配置在满足 CE 要求（特别是针对 B 类传导发射标准）方面的反馈。

  期待您的建议和建议。

  此致、BR Kadam

您好 BR Kadam,  

深入支持辐射合规性超出了此 E2E 论坛的范围、旨在支持正确使用 TI 电源控制器 IC。

以下链接提供了一份有关一般传导 EMI 的 TI 白皮书、但末尾提供了几个指向相关主题的链接： https://www.ti.com/lit/pdf/sszt673?keyMatch=CE%20compliance&tisearch=universal_search&f-technicalDocuments=Technical%20article 

我建议进一步搜索 TI 的网站、以获取传导 EMI 相关文章和技术文档。  
我还建议在网上搜索此类信息,这将对您非常有用。  

综上所述、我怀疑 14MHz 噪声可能与 MOSFET 漏极的 dv/dt 相关。  
此 dv/dt 通过升压电感器的绕组电容耦合、可能会将 HF 噪声电流注入到输入线上、而 EMI 滤波器无法有效阻断。  这只是我的怀疑,不是一个实际的诊断,但我建议跟进这些点,看看你是否可以减轻噪音。  

此致、
Ulrich

主题： 关于 EMI 滤波器设计和缓冲器网络影响的进一步输入请求

尊敬的 Ulrich：

感谢您的迅速响应、感谢您分享有关传导 EMI 的白皮书以及您的实用建议。 感谢大家澄清 E2E 论坛的范围并了解其限制。

您有关 14MHz 噪声和 MOSFET 漏极 dv/dt 之间可能存在的相关性的见解很有价值。 我将进一步研究通过电感器绕组电容的耦合路径、并评估当前 EMI 滤波器配置的有效性。

话虽如此、我想感谢您对现有输入滤波器设计的反馈、特别是对其满足 CE B 类传导发射要求的能力。 如果可能、请建议在这方面提供帮助的相应输入滤波器元件或拓扑。

此外、我还在升压二极管（基于 20 pF 的结电容） 和 MOSFET（基于 Coss = 1500<xmt-block2> pF</xmt-block>、<xmt-block3>Qrr</xmt-block> = 9uC） 上 pF 上使用Qrr使用 RC） RC 缓冲器网络进行了试验  。 我们在 R = 44Ω 、47Ω 且 C = 100 pF 、330 pF 和 470 pF 的条件下测试了各种组合。 但是、引入这些缓冲器似乎增加了在较低频率范围 ( 150kHz 至 290kHz ) 以及 3–5MHz 、14–15MHz 和 27–28MHz 频带中观察到的峰值发射数量。

您能否分享您对该行为的想法、并提出任何调整或重新设计是否可取的建议？

我还将按照您的建议、继续浏览 TI 网站及其他内容上的相关资源。 如果可能、您能否更直接地分享涉及 CE 合规性或 B 类传导 EMI 缓解的特定链接或文档？

期待您的建议和进一步的建议。

再次感谢您的支持。

此致、
BR Kadam