[参考译文] TPS4811-Q1：反极性保护的外部电路。

Hank、

1. 对于 RBIAS、您希望确保其具有足够的 VGS 来完全增强 Q1、同时限制通过 D1 的电流、以避免过热并稳定栅极电压。 D1 齐纳二极管钳位在 12V、栅极将为 12V 减去任何压降。 Q4 是在 Vgs = 4.5V 至 10V 时完全增强的逻辑电平 FET…… 因此、12V 很好。  为确保安全运行、SZMM3Z12VST1G 的最小拐点电流为~5mA、绝对最大值为 50mA。 . 这里一个很好的缓冲器是具有 5mA 到 20mA。  实际上、您不应选择绝对最小拐点电压、因为瞬变会导致下冲、因此 10mA 标称值是一个安全的选择。 您将能够通过以下公式计算适当的偏置电阻器：

RBIAS =(VBAT - Vzener)/Izener

因此、如果我们为标称 12 电池范围（即 18V）选择了更高的范围、您将获得：

(18 –12)/ 10mA =~600 Ω

2.是的、它也适用于 TPS4811-Q1、您只需相应地使用 48V 电压... SO (48 –12)/ 10mA = 3.6k。

此致、
Tim