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器件型号：TPS563212工具/软件：
尊敬的 TI：
如果您有任何关于如何改进布局的技巧、以便能够从 TPS563212 获得 2 至 3A 的电流、我想征询建议。 因为我认为、目前这存在过热保护问题。
设计参数：
- Vin = 11V 至 17V
- Vout = 5.2V
- Iout = 2-3A
我的电路板非常小 — 12.9x8.1mm。 以下是我当前的设计 (v2)。 我能够承受 1.7A 的稳定输出电流。 如果我将其增加到 2A、 TPS563212 会升温更多、并在几秒/分钟后开始节流、Vout 不稳定且下降。 我使用 Fluke 激光温度计测量温度、顶部封装温度约为 44-48 摄氏度。 如何计算结温？
该电路板为 4 层、具有一个 GND 平面和一个 Vout (5V) 平面。 
由于这种封装没有散热焊盘、而且我的电路板非常小、因此热性能可能不是最好的。
下面我正在发送改进的新布局 (v2.1)、我想尝试一下。 此外、该电路板为 4 层、具有两个内部 GND 层。 我在 TPS563212 附近添加了更多到 GND 的过孔、并在那里添加了更大的 GND 多边形。
我的问题是、如果您在布局中看到一些可以改进的地方、以便实现更好的热性能？ 是否最好将更大的铜线连接到 GND（引脚 4）或 VCC（引脚 2）？ 或另一个引脚？ 
感谢您的建议。
此致、
Martin
