[参考译文] BQ34Z100-G1：180–250MHz 时的持续 EMI 峰值；推挽式转换器中的 MOSFET 热应力—寻求优化权衡

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1540264/bq34z100-g1-persistent-emi-peaks-at-180-250mhz-mosfet-thermal-stress-in-push-pull-converter-seeking-optimization-trade-offs

工具/软件：

您好 E2E 专家、

我一直在使用流行的 PWM 控制器和高速栅极驱动器（均为 TI 器件）调试 μ s 100W 隔离式直流/直流推挽式转换器 。尽管仔细布局和组件选择、但我面临两个关键问题：⃣ μ s
1️ μ s 180 –250MHz 的 EMI 尖峰 （__LW_AT__通过近场探头检测到）、与变压器漏振铃相关。μ s
2️ ⃣ 即使使用散热器 μ s +强制通风 (__LW_AT__2m/s )、MOSFET 也会过热（在 80W 负载下外壳温度为> 85°C）、Ω 引发可靠性问题。μ s

执行的调试步骤：μ s

• ️ 在初级上添加了 μ s RCD 缓冲器 ó n （__LW_AT__Ω 100Ω+ 1nF + FR 二极管）。Ω

• ️ 实现了 μ s 输入 π 滤波器 μ s （__LW_AT__10μH 低<xmt-block1>+ 47μF</xmt-block> 电容）。+ 47μF。ESR Ω

• ️ 在控制器上启用了 μ s ±5%的频率抖动 Ω 、略微降低了 Ω EMI 峰值。Ω

• ️ 优化的接地（星形点、低阻抗路径）。μ s

突出的挑战：μ s

• 缓冲器可降低 Ω EMI、但 Ω 会增加开关损耗→加剧 Ω MOSFET 发热 Ω 。μ s

• 屏蔽有助于 Ω EMI、但 Ω 会阻塞热路径→进一步加热 Ω MOSFET 。μ s

社区的关键问题：μ s

1. 漏电感振铃与损耗 μ s ：如何在不造成明显开关损失 μ s 的情况下 μ s 抑制漏感振铃（例如、通过缓冲器调谐）？是否有 TI 推荐的推挽拓扑缓冲器设计规则？

2. 死区时间优化 μ s ：对于栅极驱动器、为避免 μ s 交叉传导 μ s 同时最大限度地减少缓慢关断（这可能会加剧 Ω EMI）的最佳死区时间是多少？Ω

3. 布局和热权衡 μ s ：由于NexFETs的高dV μ/dt、哪些是经过验证的策略来：

   • 布线大电流路径以减少环路电感？μ s

   • 在不阻碍散热的情况下放置防护罩？μ s

4. 有源箝位的可行性 μ s ：是否有人成功地将 μ s 有源箝位 μ s 与该控制器集成在一起、以在解决 Ω EMI 问题的同时回收漏电能量？Ω

设计背景：μ s

• 输入：标称 24V（__LW_AT__18–30V）μ s

• 输出：最大 12V@8A

• 开关：100kHz 固定 μ s

• 变压器：定制绕线、~ó n 1μH 泄漏（测量）ó n

来自 TI 应用说明（SLUA551/TIDU261 之外）的任何见解或实践经验都将非常宝贵！