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器件型号：BQ34Z100-G1主题中讨论的其他器件：BQ34Z100、UCC28C43、 UCC27714
工具/软件：
大家好、E2E 专家：
我正在与 A 摔跤 100W 隔离式直流/直流推挽式转换器 (24V→12V@8A)、使用业界通用 PWM 控制器+高速栅极驱动器+ NexFET。 尽管布局和组件选择非常严格、但我的设计却遇到了两个方面的难题： 
ó n EMI Phantoms.
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急剧的峰值 180 –250MHz （通过近场探头）
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与变压器漏电振铃密切相关（测量 1μH）
热熔断 -
MOSFET 外壳温度 80W 负载时 85°C 散热器+ 2m/s 气流
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缓冲器/屏蔽有助于 EMI、但会导致热应力→恶性循环！
调试工作和权衡：
| 行动 | EMI 影响 | 热影响 |
|---|---|---|
 ️ 主 RCD 缓冲器 |
降低 30% | +12°C 导通 MOSFET |
| ️ Ω 输入 π 滤波器 |
改进极小 | 没有变化 |
| ️±5%频率抖动 |
峰值降低 15% | 眼动追踪 |
| ️ 星形点接地 |
本底噪声更低 | 提高稳定性 |
关键困境： 
️ μ s 缓冲器悖论 :如何抑制泄漏振铃 之间的比较 谋杀效率？ ️ μ s 屏蔽陷阱 :金属屏蔽会阻碍热路径——任何非热折中的替代方案? ️ μ s 边沿速率危机 ：慢速关闭可降低 EMI、但在死区时间内可制造 MOSFET
呼吁采取经证实的战略：
1️⃣ μ s 振铃与损耗 ：
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是 有源钳位 使用此控制器回收泄漏能量是否可行？
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针对推挽优化缓冲器调优？ （电流：100Ω+ 1nF）
2️⃣ μ s 栅极驱动秘密 ：
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用于防止跨导并最大限度地降低体二极管损耗的死区时间优化？
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NexFET 可减少寄生振铃的高 dV/dt 布局技巧？
3️⃣ μ s 热 EMI 协同设计 ：
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屏蔽不能起到隔热作用的材料？
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PCB 层叠技术可在包含射频的同时散热？
设计背景：
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开关：100kHz 固定频率
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热性能：25°C 环境空气+强制空气
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非常重要 工业通信设备 （可靠性不容商量！）
TI 参考设计（除了常见应用手册之外）中的任何战争故事都将为我保驾护航！
