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工具/软件:
您好:
我正在评估 CSD88599Q5DC 对于全 H 桥电机应用(外部驱动器)、我想确认 MOSFET 是否可以处理以下工作曲线:
- 48V 电源、5A 持续 7 秒、然后 15A 持续 50ms
- 12V 电源、6A 持续 7 秒、然后 20A 持续 50ms
谢谢!
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工具/软件:
您好:
我正在评估 CSD88599Q5DC 对于全 H 桥电机应用(外部驱动器)、我想确认 MOSFET 是否可以处理以下工作曲线:
谢谢!
您好、John:
是的、电流脉冲在整个脉冲持续时间内处于导通状态时通过顶部 FET 传送到电机。
对于 48V 的情况、电流将为 15A 并持续 50ms、然后电流将持续 5A 并持续 7 秒。
对于 12V 情况、电流将为 20A 并持续 50ms、然后是 6A 并持续 7 秒。
在这两种情况下、相应的 GPIO 在整个电流输送期间都保持逻辑高电平“1",“,在此、在此期间没有开关或 PWM。
此致、
Rihem
嗨、Rihem、
感谢您的更新。 我觉得你还可以。 在这种应用中、导通损耗是主要的功率损耗、开关损耗应该很小。 导通损耗、假设 TJ = 125°C:PCOND = I² Ω x RDS (on) x TC、其中 TC 是导通电阻的正温度系数、如数据表中的图 4-14 所示。 在最坏的情况下、I = 20A:Pcond =(20)² x 2.1mΩ x 1.7 = 1.43W。 这在封装的能力范围内。 它是像这样持续运行、还是像一次性启动那样让电机运转?
谢谢、
John