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器件型号：LM74700-Q1 工具/软件：
尊敬的团队：
在以下规格中、我可以说最大反向电流为–11mV/RDS (ON) 吗？
目前、客户的–200mA 电压为 12V、我们想使用理想二极管控制器+ NFET 来阻断反向电流、但好像它仍然会通过少量 11mV/RDS (ON)？
此致、
Roy
工具/软件：
尊敬的团队：
在以下规格中、我可以说最大反向电流为–11mV/RDS (ON) 吗？
目前、客户的–200mA 电压为 12V、我们想使用理想二极管控制器+ NFET 来阻断反向电流、但好像它仍然会通过少量 11mV/RDS (ON)？
此致、
Roy
尊敬的 Shiven：
感谢您发送编修。 例如、如果我们使用的 NFET RDS (on) 为 11m Ω。
Rcb 的阈值为–11mV/11m =–1A
如下所示、最初存在负电流。 (–200mA) 是否意味着 LM74700-Q1 无法阻止电流？
此致、
Roy
尊敬的 Shiven：
不知道评论。 您是说它会发生最大反向电流吗？
-11mV/Rds_on 是–11 是最大反向电流。
请您提供更详细的评论吗？
目前、在发生负载瞬态时、客户在–200mA 和–150mA 附近有初始负电流。 我们想检查 LM74700 是否可以完全阻止。
如我所知、只有 VAC <–11mV、MOS 将完全关断以避免反向电流。 您是指在稳压导通模式下反向电流会更低吗？
此致、
Roy
