请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：UCC28C43主题中讨论的其他器件：BQ34Z100-G1、 UCC27714、
工具/软件：
在 BQ34Z100-G1 + UCC28C43 + UCC27714 + NexFET 推挽隔离式直流/直流转换器（__LW_AT__24V）中：12V/8A、100kHz→
180 –250MHz 的 Ω EMI 尖峰很难抑制。添加缓冲器会有所帮助、但会导致高损失。Ω
布局和筛选已得到优化、但测试要求仍未得到满足。μ s
问题：μ s 
是否有经过验证的推挽式拓扑 μ s EMI 尖峰抑制方法 ？μ s 任何 μ s RCD 缓冲器调整经验 ó n （__LW_AT__组件选择 μ 调试）要分享吗？μ V
谢谢！μ s
