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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1541465/ucc27714-how-to-optimize-dead-time-for-ucc27714-push-pull-driving
工具/软件：
在 UCC28C43 + UCC27714 推挽设计中：
死区时间过短 :跨导风险→MOSFET 温升。
死区时间过长 ：较慢的边沿→较高的 EMI。
问题： 什么是 建议的死区时间调整范围 优势？ 操作方法 平衡效率、EMI 和 MOSFET 温度 ？ 谢谢！
您好：
感谢您关注 UCC27714 半桥驱动器。 对于第一个问题、理想死区时间范围在很大程度上取决于具体的设计细节、包括 MOSFET 开关属性和栅极电荷以及转换器的工作条件。
在推挽式设计中、我认为死区时间将由控制器确定以实现目标输出电压、并且死区时间将取决于直流电压输入、变压器匝数比和输出电压。 在除低压直流输入之外的所有输入中、我预计将有一个由 PWM 控制脉冲宽度确定的相当长的死区时间、以便实现输出电压调节。
关于实现最短死区时间以考虑低输入电压下的最大占空比、应优化转换器功率级、以确保两个 MOSFET 的 Vgs 不会在开关边沿上重叠、以避免跨导。 此外、另一个注意事项是确保考虑驱动器延迟匹配参数 tPDRM 和 tPDFM 20ns 的裕度。 考虑时序变化、增加 20ns 的最小裕度。 对于 EMI、通常影响 EMI 的是开关 dV/dt、可通过选择栅极电阻来优化该开关 dV/dt 和振铃。 EMI 和开关损耗通常是特定于转换器动力总成和寄生元件（例如开关节点上的杂散电容和寄生电感）的折衷。
此致、
什么是 建议的死区时间调整范围 优势？ 