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[参考译文] TPS4800-Q1:使用 PU 串联电阻器时 FLT_GD 行为的阐释

Guru**** 2446970 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1539898/tps4800-q1-clarification-on-flt_gd-behavior-with-pu-series-resistor

器件型号:TPS4800-Q1


工具/软件:

在数据表的第 7.3.2 节中、a. 100kΩ 电阻器 (R1) 建议在之间串联 PU 引脚和外部 FET 的栅极 来控制容性负载的栅极电压斜坡和限制浪涌电流。

由于采用了 FLT_GD 引脚用于指示故障、例如 栅极氧化物击穿 —它通过检查栅极电压是否达到来实现这一点 V (G_GOOD)≈7.5V —我想澄清一下:

FLT_GD 检测逻辑是直接监控 PU 引脚上的电压 (PU–SRC)、还是监控 R1 电阻器之后的栅极节点?

这种区别很重要、因为如果发生栅极短路 之后 即使栅极卡滞、R1、PU–SRC 可能仍有效、可能会抑制真正的故障指示。

您能否确认 FLT_GD 逻辑如何检测栅极电压、以及 100kΩ R1 是否影响其检测栅极氧化物短路的能力? 将大电阻器与电压检测电路串联会影响确定短路的能力、不是吗?

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Lenio:  

    比较器逻辑位于 PU 引脚、而不是 FET 的实际栅极、因为它位于我们的器件外部。 VG_GOOD 阈值用于监测 VGS 并确保在激活 SCP 检测之前增强 FET。  

    谢谢、  

    Sarah

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    检测可以发生在 PU 或 PD、因此直接测量栅极电压可以是任一种。 我的主要问题与用于调整斜坡的串联电阻相关。 例如、如果使用建议的 100kΩ、则检测栅极电压的能力会受到影响、不是吗?

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    尊敬的 Lenio:  

    没有将准确表示栅极电压。 内部 VGS 比较器会监测 PD 至 SRC 的电压。

    栅极电压由自举电容器驱动、因此与 PU 上的 100k Ω 电阻器无关。  

    谢谢、  

    Sarah