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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1546404/lm2104-is-it-no-problem-to-insert-100mohm-resistor-between-external-low-side-fet-driven-by-lm2104-and-gnd
工具/软件：
大家好：
一个客户考虑使用 LM2104 进行步进电机驱动。
目前、他们有以下问题。 请你给我答复。
Q 在由 LM2104 驱动的外部低侧 FET 和 GND 之间插入 100m Ω 电阻器没有问题 电流检测仿真文件中包含吗？
非常感谢您的答复。
此致、 Kazuya.e2e.ti.com/.../CurrenSenseResistorSchematic.pdf
尊敬的 Kazuya：
是的、您可以在低侧 FET 源极和接地端之间放置一个分流电阻器、但请考虑驱动器 GND 的连接位置。 如果驱动器 GND 低于 Rsense、则 Rsense 上的压降会降低有效 Vgs、电流测量将包括拉电流/灌电流。 根据您的系统和电阻器值、这可能会也可能不会很大。 将栅极驱动器 GND 连接到 FET 源极上的分流电阻上方、非常适合更大限度地减少电流环路中的噪声并保持 Vgs 准确。 此致、
Annabelle Alemand
尊敬的 Annabelle：
我知道分流电阻器 (Rsense) 可以放置在低侧 FET 源极和接地端之间。 我还知道、Rsense 上的压降会降低有效 Vgs 电流测量将包括用于外部 MOSFET 导通/FF 的拉电流/灌电流。
我能否向您提出以下附加问题？
Q 当 LM2104 GND 连接到 Rsense 的高侧（低侧 FET 的源极）以精确测量电流时、 有什么令人担忧的问题吗？
我认为 LM2104 GND 的电压比控制器侧 GND 电压稍微高一点（当 IO=3A 且 Rsense 为 100m Ω 时为 0.3V）。 我担心当控制器输出 L 电平时 LM2104 输入端子 (IN、/SD) 会变为–0.3V、因为 可能会超出 IN 和/SD 输入端子的绝对最大值。
请你给我答复。
再次感谢大家、此致、 Kazuya。
Kazuya、 如果驱动器接地连接到 Rsense 的高侧、则取决于控制器接地的连接位置。 是将其连接在检测电阻器上方还是下方？ 如果它们以同一点为基准、则负电压不应该是问题。 如果驱动器接地高于电阻器且控制器接地低于该电阻器、则可能是个问题。 谢谢、
Annabelle
