工具/软件:
尊敬的专家:
为了降低 EMI 噪声、我想将引导电容器从 0.1uF 更改为 0.2uF。 并考虑添加 100 Ω 串联电阻。
我们是否对作为引导电路有任何限制?
此致、
山下耕太郎
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尊敬的专家:
为了降低 EMI 噪声、我想将引导电容器从 0.1uF 更改为 0.2uF。 并考虑添加 100 Ω 串联电阻。
我们是否对作为引导电路有任何限制?
此致、
山下耕太郎
尊敬的 Kotaro:
不建议 使用数据表中建议值以外的更高 Cboot。
我建议使用缓冲器电路来实现这一点。 电源技巧:分七步计算 R-C 缓冲器
此致
Arpita
尊敬的 Kotaro:
计算 Rboot 取决于多个应用因素、如占空比、频率等 您能分享运行条件吗
在关断时间短的应用(高占空比应用或高开关频率)中、如果自举电阻器过大、自举电容器无法在每个周期中充满电。
当 HS MOSFET 导通时、从自举电容器流经 RBOOT 的电流会导致从 BOOT 到 SW 引脚的电压下降。 如果该压降较大、则 HS MOSFET 栅源极上的电压会降低、从而可能导致器件导通速度减慢或触发 BOOT UVLO 电路。
我建议通过 从 0 开始增加电阻、直到达到所需的振铃或 EMI 水平来确定 RBOOT。 如果达到 BST-UVLO、您可以使用~10 Ω 的电阻器进行检查。 您能否使用 0 Ω Rboot 和 10 Ω Rboot 捕获 SW 节点振铃??
此致
Arpita