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您好：
我计划使用 LM74502 为项目实现热插拔、反极性保护和负载禁用特性。 主要思路是将 LM74502 用作我正在开发的控制单元和 24V VRLA 电池之间的接口；具体而言、电池将连接到 LM74502 的输入 (VS)、而 LM74502 的输出将连接到控制单元内置的充电器。
根据前提、我希望使用 LM74502 来限制电池与电路连接处的浪涌电流、在电池连接错误（反极性）时保护充电器、并在电池电平过低时自动断开负载（通过 EN/UVLO 引脚）。 我目前正在运行测试、以便在最终电路板级别实施解决方案之前对其进行验证。 我已经测试了热插拔和负载禁用功能；现在主要测试反极性保护功能。 在后一个方面、我遇到了一些意想不到的问题。
当时、我购买了大容量元件并在矩阵板和试验电路板上实现了一个简单电路。
这是测试电路的原理图：
我正在使用以 24V 直流电压作为电源 (VIN) 的台式电源来测试反极性保护功能。 目前、除测量仪器外、我不应用载荷 (VOUT)。
我现在描述一下我希望您帮助我澄清的异常行为； 对于下面所述的所有测试、我向输入 (VIN) 施加–24VDC 负电压：
- 我注意到、使用负输入电压时、栅极和源极的引脚之间存在正电压（这仅在它们连接到 2 个 MOSFET 时才是如此）； 在下图中、您可以在通道 1（黄色）上看到 VIN 电压、而通道 2（粉色）显示栅源电压。
在这里、我们可以看到向 VIN 输入施加电压的瞬间；在这种情况下、我注意到栅源电压高达 4.88V
另一方面、我们在这里看到相同的测试条件、但时基更宽；在 VIN 导通一段时间后（这次是可变的）、出现大约 0.77V 的栅源电压、只要存在 VIN、电压就会一直存在
我注意到、通过减小 RG 的值、反向 VIN 导通时的栅源电压峰值会增加；相反、通过增大 RG 的值、GATE_SOURCE 电压峰值会降低。 稳态栅源电压值不会随着 RG 的变化而变化、并保持在 0.77V 左右。
下面是一个 RG 值非常高的示例、即 10k：
所述内容是否属于器件的标准运行范围？ 我担心的是、栅极和源极之间存在该正电压可能会激活 MOSFET、从而在输出端传导负电压；我期望的是、在 VIN 为负时、栅源电压将保持在 0V。
在矩阵板和试验电路板中都有类似的行为。
- 在电路的输出端 (VOUT) 放置一个数字万用表、我注意到在负 VIN 电压下、我发现负 VOUT 电压约为–3.7V；施加一个电阻负载、甚至非常低至 150k、VOUT 电压会降至约–0.3V。 同样、在 VIN 此时为正且禁用 LM74502 (EN/UVLO = 0) 的情况下、我发现输出端的电压约等于 3.7V；再次向万用表施加额外的负载、该电压下降。 我推测、这种影响可能至少部分是由于 MOSFET 体二极管的漏电流造成的、此外、我通过万用表加载输出（尽管有点）。 再次、我希望你对此提出意见、并可能作出澄清/建议。 在矩阵板和试验电路板中可以发现类似的行为（在试验电路板中检测到输出端的更高电压）。
如果需要更多信息、请告诉我。
谢谢你。
