我能够下载瞬态模型测试台、但无法正常工作。我进行了修改、将其配置为驱动 2 个 NMOS 2n6755 晶体管的半桥驱动器。二极管 1N1200 连接在 VDD 和 HB 之间、HB 和 HS 之间连接一个 10n 电容器。 VDD= 5V、连接到上部 NMOS 漏极的高压 HV 为 20V。我已向 HI 和 LI 应用了互补 5V 振幅 1MHz 方波输入。输出卡在 9.2V、VHO 也是如此。 VLO 几乎为接地。

（如果 SM74104 是更适合 H 桥和容性负载的电路，我也想尝试它。）

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2465890 points

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你好 Subhajit,

通过查看您的响应、我看到 VDD 设置为 5V、请确认。 LM5101 驱动器 VDD UVLO 高于 5V、因此该器件可能处于 UVLO 状态。建议的 VDD 范围为 9V 至 14V。可以尝试将 VDD 提高至 10V。更高的 VDD 可以在您的应用中工作吗？

我查看了 SM74104 数据表、可以看到它是一款具有可调死区时间的单控制输入驱动器。它还具有 9V 至 14V 的 VDD 建议范围。

此致、

0 admin 3 个月前

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是的、这就是问题所在。但是、我仍然没有获得适当的输出电平。当 VDD = 10V 时、HI 和 LI 仍处于 5V 振幅、输出端我获得 29.7 高电平和 9.9V 低电平、而高压电池为 20V。 9V 的 VDD 可以、但我更喜欢 5V VDD（与我的输入电平相同）。

我还注意到库中所有 MOSFET 的 Spice 3 级模型是相同的。不确定我是否使用了正确的 MOSFET 模型。

SM74104 没有 TINA 瞬态模型、而是 PSPICE 瞬态模型。它可以导入 TINA Spice 还是必须下载 PSPICE-FOR-TI 模拟器（这不是问题）？ PSPICE-FOR-TI 模拟器是否支持 TI 的所有部分？它优于 TINA-SPICE。

非常感谢。

0 admin 3 个月前

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你好 Subhajit,

您能否提供您正在仿真的原理图的图片、我很好奇 HS 引脚是否切换至接地来为仿真电路中的 HB-HS 电容器充电。另外、在仿真结果中、您还可以确认 HI 为高电平时 HB-HS 差分电压和 HO-HS 差分电压。

此致、

0 admin 3 个月前

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原理图已附在后。电路似乎采用了合适的 NMOS 晶体管模型。我将模型更改为 Spice-level-1、其中参数 VT=1V、Kp=2m、gamma=0.5、phi=0.6。输出按预期从 0V 切换至 20V、自举电容器似乎按预期充电。

借助单输入和死区时间调整、我想切换到 SM74104。我想知道是否可以将可用的 PS｛ICE Transient 模型导入 TINA Spice。或者我必须下载相应的 PSPICE-FOR-TI 模拟器。

此致。

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] LM5101：LM5101A