[参考译文] BQ40Z50：Samsung INR21700-50s 的 Chemistry ID 和 BMS 生产设置帮助

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1539645/bq40z50-help-with-chemistry-id-and-bms-production-setup-for-samsung-inr21700-50s

工具/软件：

大家好、TI 团队好、

我正在使用 BQ40Z50 作为 5000mA、为 Samsung INR21700-50s (BMS.h、3S、NMC) 电芯配置 BQStudio。 以下是我当前的配置步骤



：Current Configuration Summary：Battery
Configuration：BQStudio→Data Memory→Settings→Configuration→DA Configuration
— 电芯数：3 节电芯 — 位
0
：0（绿色）-位 1：1（红色）


FET 配置


：BQStudio→Data Memory→Settings→Configuration→FET Options — 位 5 = 1（红色）→FET 在充电/放电期间关断（对学习周期有用）保护设置：
BQStudio→数据存储器→Settings→Protection→Protection A
- CUV/COV protection enabled（位设置为 1）

BQStudio→Data Memory→Protection

| Threshold | Delay | Recovery |
|----- |----- |----- |----- |
CUV | 2500mV | 2s
| 3000mV | COV | 4300mV（所有温度范围）| 2s | 3900mV |

BQStudio→Data Memory→Settings→Protection→Protection B
- ASCC/ASCD Enabled -
CUV、COV、ASCCL、ASCDL 位

设置为 1 电源设置：
BQStudio→Data Memory→Power

— 有效更新电压：3500mV — 充电器存在阈值（电量监测配置）：3000mV

气体存在阈值：
BQStudio→Data Memory→Gas Gauging→Design
- Design Capacity
(mAh)：5000
- Design Energy (CWh)：6300 - Design Voltage (mV)


：12600





BQStudio→Data Memory→Gas Gauging→TD
- Set Voltage Threshold：3200mV - Clear Voltage Threshold：3300mV - Set % RSOC Threshold：6%- Clear % RSOC Threshold：8% Calibration：BQStudio→Data Memory→Calibration - Current、Voltage、Temperature Completed。

问题：

1.尽管进行了上述配置、但在 Chemistry ID 列表中找不到与 Samsung INR21700-50s 完全匹配的化学成分。
-您建议将哪种化合物 ID 用于具有 BQ40z50 的 INR21700-50s？


2.我正在为生产阶段准备这一设置:
-正确完成 BMS 生产的后续步骤是什么?

附加说明： — 电池组：
Samsung INR21700-50s (3S、5000mA)
- BMS 模块：TI BQ40Z50

您的指导非常感谢、以确保在投入生产之前正确设置系统。

谢谢！