[参考译文] TPS63700：TPS63700：IC 故障非常频繁

您好 Michel、

请分享此 IC 的布局和 Cout 的器件型号。

此外、请使用万用表二极管模式并测量 VIN 和 SW 之间的二极管、检查 VIN 到 SW 以及 SW 到 VIN 之间的二极管电压。

此致、

Travis

以下是顶部（红色）、L1（橄榄绿色的 GND 平面）和 L3 上的反馈布线（浅蓝色）的布局

我还测量了你写了 2 块损坏的板和一个良好的板与二极管测试仪。 结果完全相同：

二极管 (SW)+/ Cin (IN)-：0.354 - 0.356V
二极管 (SW)-/ Cin (IN)+：0.946 - 0.964V

COUT 是一款 具有 10V X5R 0805 20%规格的通用 47uF MLCC。 装配厂准备好了。 但我相信,从一个已知的品牌,没有便宜的东西,它是一个奥地利工厂有良好的声誉。  

您好 Michel、

在反相降压/升压拓扑中、高频开关电流从 Vin->sw->Vout->Vin。 如果开关尖峰超过 MOSFET BVDSS、该电流环路内的寄生电感将引起开关振铃、并且 MOSFET 将损坏。 因此、缩短此电流环路的 PCB 长度非常重要。 对于 EVM、此电流环路如下所示：

在布局时：

因此、我建议在此处添加一个 100nF、并将多边形填充到白色块中

此致、

Travis

你好 Travis

感谢您的意见。 我会为下一次布局更改添加您的建议！

我在现有设计中添加了 100nF、它确实降低了振铃尖峰。 以下是不带 100nF 的电感器之后的输出电压交流视图：


然后使用具有相同 1V/div 值的 100nF 电容器：



但正如我在上面提到的、逻辑部分似乎已损坏。 内部 FET 似乎在良好或不良的电路板上测量了相同的结果、因此我猜 FET 可以吗？ 这是否会破坏内部逻辑部件？？
我确实测量了 VIN 引脚上大约 200mVpp（没有 100nF）和大约 100mVpp（具有 100nF）的尖峰。 没有什么是我希望直流/直流 VIN 逻辑输入消失的？

请注意、在这里、我为直流/直流转换器加载了 108mA 电阻负载。 我在应用中只具有有关 30mA 负载的信息。

啊、我在 3.3V 输入上有其他负载、这些负载是在电感器上测量并返回到 GND。

 我移除了电感器、然后在不良板上测得 0.439V、其中 IN — 和 SW +。 另一种方法是没有流动、因此 FET 正如我预期的那样好。

它实际上是逻辑器件。 测量 VIN 到 GND 时、可能会有很大的差异。  
我移除了 10R、以便能够在带有 VIN +和 GND 的良好电路板上进行测量 — 使用二极管表无 (OL) 功能。 有一个坏的板我也做了同样的,但我可以测量 1.47V。 此外、在 COMP 和 VREF 输入端、我发现二极管表与良好的电路板有很大的区别。 我确实认为、正如我在上面所写的、所有这些电路板上的逻辑器件都已损坏。

输入端的 200Vpp 尖峰并不能真正解释为什么这个 IC 的芯片、对吗？

是的、我肯定会在电路板上添加 100nF！

您好 Michel、

开关尖峰会耦合到任何地方、很难判断电路的哪个部分会首先消失。 我在您的原理图或布局中没有看到和其他错误设计、因此建议 优化布局 并查看是否仍然出现问题。

此致、

Travis

好的、谢谢！ 然后、我将使用此 100nF 进行所有修改、看看将来是否还有这些故障！ 他们通常不会很快死,它花了几个星期在一些,在其他人甚至更长的时间死在我们身上。