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[参考译文] TPS23523:TPS23523 应用程序

Guru**** 2473260 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23523, TPS7A4001

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1549844/tps23523-tps23523-applicatio

器件型号:TPS23523
主题中讨论的其他器件: TPS7A4001

工具/软件:

嗨、大家好

我们的产品使用 TPS23523 来设计热插拔。

由于输入电压范围较宽、需要确认以下问题。

问题 1:  

在该产品中、我们设计的两个输入电压 54V 和 12V 总线电压兼容、因此输入接口电压可以是 54V 或 12V。

对于宽输入电压范围的设计、tps23523 Vcc 电源将具有 54V 和 12V。

为了使 Vcc 设计更安全、我们使用 TPS7a4001 输出设置为 12V (Vin:54V) 和 11.7V (Vin:12V) 来提供 Vcc 电源。

BGATE 和 GATE2 Vgate 是否因 Vcc 电压过低 (11.7V) 而无法正常工作?

请给出更多设计建议。

电路如附件所示。

e2e.ti.com/.../TPS23523-_2600_-LDO-TPS7A4001_5F00_20250730.pdf

问题 2:

使用 PSMN4R8 的 TPS23523 EVM
软启动:
输入:72V、Vds:72V(软启动前)
从电流限制为 3A 的导通状态开始、输出电压继续上升、而端子上的 VDS 电压从 72V 降至 20V。

正常运行
输入:72V、VDS < 20V(软启动后)、VD、CL_SW < 1.5V
进入正常工作状态时、电流限制切换至 25A。

基于 SOA 将 TPS23523 VDS、SW 设置为 20V 压降电压是否更安全?

但这也可能会增加软启动时间、对吧?

如果 VD、CL_SW < 1.5V 和 Vgate > 8V、则 I GATE、SRS、正常模式从 20uA 切换到 400uA、

导致 MOSFET 从欧姆区域快速进入饱和区域、对吧?

问题 3

数据中心–48V 与电信–54V 电源系统的热插拔设计是否存在差异? 是否可以使用相同的型号?

如果热短路超过 TMR 时间、V_GATE(立即关闭并重新启动至稳压状态)是否仍会根据 VDS_SW 设置区分 CL1 和 CL2 状态?

如果短路依然存在、是否会继续重试?

在 TPS23523 分流后、EN 是否会拉低来拉高、从而重新启动程序?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的联系。  

    由于 Vcc 电压过低 (11.7V)、BGATE 和 GATE2 Vgate 是否会正常工作?

    就能正常工作。

    是否根据 SOA 将 TPS23523 VDS、SW 设置为 20V 压降电压更安全?

    没错。

    、但这也可能增加软启动时间、对吧?

    软启动时间与  VDS、SW 无关。 具体取决于 CSS 电容器值。 选择 CSS 电容器时需要确保故障计时器不应在启动期间运行、如下所示。

    使 MOSFET 从欧姆区域快速进入饱和区、对吧?

    当  Vgate > 8V 时、MOSFET 已经增强并导通。 进一步增加栅极电压只会降低导通电阻。  

    数据中心+48V 与电信–54V 电源系统的热插拔设计是否存在差异? 是否可以使用同一型号?

    抱歉、我不理解您的问题。 每个器件都有自己的设计过程。

    如果热短路超过 TMR 时间、V_GATE(立即关闭并重新启动至稳压状态)是否仍会根据 VDS_SW 设置区分 CL1 和 CL2 状态?

    在输出端热短路期间、电流上升得非常快、并超过 VSNS、FST。 为了在这种情况下提供保护、使用了快速比较器、可在发生严重过流事件时快速拉低栅极。  

    现在、VDS = VIN、这是一个高 VDS 条件。 因此、该器件以较低的电流限制重试、如下所示。

    如果短路仍然存在、它是否会继续重试?

    是的

    在 TPS23523 分流器之后、EN 是否下拉至低电平来拉至高电平、从而重新启动程序?

    是的

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    尊敬的 Pal

    我们的产品支持两种输入电源:12V 和 72V。

    除了热插拔开关后面的大电容器外、还有一个直流/直流转换器。

    在 12V 或 72V 输入电源条件下、当热插拔输出电压 (Vo)> 10V 时、直流/直流转换器是否会立即启动?


    或者、PGB 是否仅在热插拔软启动过程完成且热插拔输出电压建立后才会开始启用转换器?

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    或者 PGB 是否仅在热插拔软启动过程完成且热插拔输出电压建立后才开始启用转换器?

    您必须使用 PGb 信号来开启下游 DC/DC 转换器。 在启动完成之前、不应打开下游 DC/DC 转换器。 这是消除启动期间额外 MOSFET 应力所必需的。

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    尊敬的 Pal

    输入工作电压范围为 18V 至 72V。 我们使用 TPS23523 EVM 板上的 TPS7A4001 LDO 为 TPS23523 VCC 提供 16V 电压。 但是、当将 54V 输入源插入系统时、LDO Cin 会产生浪涌电流。

    我们尝试添加磁珠并将 LDO Cin 降低到 0.1uF、但每 1us 似乎仍为 13Apk。

    是否有更好的方法来减小这种浪涌电流?


    注意:在原始 EVM 中、该浪涌电流仅为 6.6Apk、持续时间为 390ns。 (无处 LDO)

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    如下图所示、请将 R 和 C 放置在红圈中。  

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    尊敬的 Pal

    如果电容器值为 0.1uF 、对于 R 值是否有任何建议?

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    R = 54V/峰值浪涌电流限制。  

    我是说这个电流。