主题:LM5148 中讨论的其他器件
工具/软件:
目前、使用 LM5148 时会遇到一些问题。 输入电压设置为 22V、输出配置为 12V;但实际测量输出为 0V。 即使在空载条件下、电感器也会严重升温。 该电路板电路基于铝基板构建。 下面提供了电感器的 SW 波形和原理图。


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目前、使用 LM5148 时会遇到一些问题。 输入电压设置为 22V、输出配置为 12V;但实际测量输出为 0V。 即使在空载条件下、电感器也会严重升温。 该电路板电路基于铝基板构建。 下面提供了电感器的 SW 波形和原理图。


这里的问题是 FET 不是逻辑电平栅极驱动 (Rdson 额定值为 Vgs = 4.5V)。 5V 时的米勒平坦区域过高(应该更像 3V):

进一步评论:
请尝试在 FET 附近添加一些 10uF /50V/1210 陶瓷电容器、因为 100uF/63V 电解电容器具有高 ESR 和 ESL(这些仅适用于输入滤波器阻尼)。
移除低侧 FET 栅极上的 2.2Ω、因为当 SW 电压转换为高电平时、它会导致栅极电压抖动。
此致、
Tim
MOSFET 器件型号中的“L"后“后缀通常表示逻辑电平栅极驱动。 请参阅此 EVM https://www.ti.com/tool/LM5137F-Q1-EVM12V 中使用的 onsemi 80V 系列 FET 作为示例。