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[参考译文] LM61480-Q1:LM61480

Guru**** 2477065 points
Other Parts Discussed in Thread: LM61480-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1555567/lm61480-q1-lm61480

器件型号:LM61480-Q1


工具/软件:

大家好。

我想驱动 PCB 5V 系统电压、如所附图片所述。 TI 的两个主要事项将在设计中发生。

在给定的时间只会启用其中一个。

由于每一个 MOSFET 的内部 MOSFET 为 N 沟道、因此 MOSFET 二极管将打开以驱动反向电流、即使每一项反过来都未启用也是如此。

这里的问题是两个项目都连接到同一 VIN、因此我认为此处不需要对反极性电流提供额外的保护(理想二极管)。 因为 VIN 必须在每个启用时有效。 否则、设计将无法通电。 如果要在此处添加一个理想二极管、我认为最好将其添加在降压稳压器 (LM61480-Q1) 之后、您对此进行的注释???  

但我希望查看附件的 TI 专家比我熟悉这些器件、检查我在这里是否遗漏了一些内容、并向我发送您对建议设计的意见???

THX。

氮化物。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Nitsan、

    如果您可以确保 Vin 始终大于 Vout、则不会有反向电流风险。 但是、如果您预计 Vin 可能会小于 Vout、则需要在降压转换器的输出端放置一个串联二极管来停止反向电流。  

    此外、请确保降压稳压器具有足够的有效电容、从而根据负载开关为负载供电的方式保持稳定。

    此致、

    Ridge