[参考译文] UCC27614：驱动程序仍然出现故障

尊敬的 Fredrik：

只是为了确认、您参考的是此主题、对吗？：  UCC27614：EN 和 IN+信号之间的破坏性重叠 

要对该主题进行回顾：

1. 您正在将外部 DESAT 故障检测电路与我们的 UCC27614 配对（假设使用 D 封装型号、因为您提到了 EN 引脚）。
   
   
2. 只要触发故障、MCU 就会将 EN 拉至低电平以禁用驱动器。 ~62ns 后 EN 恢复高电平。
   
   
3. 由于 过孔隔离器具有~75ns 的传播延迟、因此在 EN 恢复高电平后、IN 会额外保持高电平 10-13ns。 该 EN 和高重叠会损坏 VDD EOS 的驱动器。
   
   
4. 此时、您的修复方法是增加禁用 EN 的时间、以防止重叠。
   
   

如果我错了、请纠正我。但从我阅读您对 UCC27614 的理解的角度来看、您认为当 EN 变为低电平时、我们的驱动器会延迟一些、直到 IN 变为低电平。 这是一个常见的误解、EN 的主要功能是启用栅极驱动器的输出；EN 状态不会影响 IN 信号。 无论 EN 是高电平还是低电平、IC 都将处理输入信号、但如果 EN 为低电 平、OUT 永远不会变为高电平。

以下是 IN/EN/OUT 的真值表：

这是 UCC27614 的方框图。 在“开/关逻辑“块内部、有一个与门将 IN、EN 和 VDD UVLO 作为输入。 同样、IN 将通过 IC 进行处理、但一旦达到与门、它将检查 EN 是高电平还是低电平、然后再进行处理。 我还附加了 UCC27624 的方框图、其中显示了更详细的一点（UCC27624 基本上是 UCC27614，分为两个通道）：

增加 EN 重新导通延迟的解决方案很好、但还需要牢记 IN 信号。 几乎所有其他栅极驱动器都是如此。

如果这对我有所帮助、或者您遇到其他问题、请告诉我；我可以继续为您提供帮助。 您还可以向我发送您的设计原理图、包括 UCC27614、隔离器和 DESAT 电路、以便进行初步分析。 此外、请在信号特性（PWM 电压、开关频率和占空比/脉冲宽度）和 EN 特性中分享 VDD 等系统特性。

此外、简而言之、我们有 UCC57108、这是一款内置 DESAT 检测系统的单通道低侧驱动器。 如果您愿意重新设计或未来的项目、可以考虑使用该器件。

谢谢、
Rubas

您好、

我们已经对此进行了测试、该问题似乎不限于前面讨论的故障模式。 在我们的应用中、我们的开关电压为~2000A 和+800V、当我们所控制的等离子体中产生电弧时、通过栅极驱动器关闭晶体管会产生显著干扰。

如果这些干扰耦合到信号路径中并短暂地将栅极导通~6ns 至 13ns、则驱动器会失效。 这使得当前器件不适合我们的应用、因此我们现在需要考虑替代解决方案。

您是否专门测试了栅极驱动器开启~9ns 时会发生什么情况？ 如果没有、请进行研究并提供修订的驱动器解决方案、或在数据表中明确指出器件无法处理此类瞬变。

如果您有其他建议、请通过电子邮件与我联系。 我们可能考虑的器件包括 UCC5880 或 UCC5881。 我们的要求是：

• 输出范围：–5V 至+20V

• 驱动强度：10–20 A

• 最大延迟：30ns

提前感谢您的支持。

尊敬的 Fredrik：

如果导致栅极瞬间导通的干扰导致高电压超过数据表规格、我们无法保证驱动器能够承受。 您能解释一下这种干扰是耦合到驱动器的 IN 引脚还是 OUT 引脚中吗？ 您是否有波形显示了发生干扰/干扰时驱动器引脚上的 VDD、IN、EN 和 OUT 电压？ 原理图也非常有助于分析。

谢谢、
Rubas

我不会在此论坛分享原理图。
干扰耦合到 IN 引脚。
否、我没有任何波形可供分享。 它是一个非常嘈杂的环境、因此无法获得可靠的测量结果。
我们只需用短脉冲 (6-13ns) 导通即可轻松地以受控方式消除该现象、而无需连接任何栅极电阻器。