[参考译文] LM51772：电路原理图审阅

admin

Other Parts Discussed in Thread: LM51772

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LM51772

工具/软件：

您好、

我们有使用 LM51772 的新项目计划。

我可以发电子邮件给发送的 PDF 回路和 Quickstart_Tool 吗?

条件：

- Vin = 9V - 48V

- Vout = 12V；Iout = 8A

-启用 PSM 模式以实现轻负载消耗

0 admin 9 个月前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

按如下所示更新 PDF 电路和 Quickstart_Tool 链接。

0 admin 9 个月前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

请查看下面我的审核列表和粗体标记的行项目、这些项目应再次检查（注意：此处还有其他信息，用于概述已检查的项目）

（带下划线的器件未检查，因为信息缺失）

已使用快速入门计算器进行检查

原理图：

ILIMCOMP/ISET 用作 ISET 时应具有一个与电阻器并联的小型滤波电容器
[USB_PD 使用典型可调节 ILIM ->=>将 RC || C FILTER 置于 ILIMCOM]
如果未使用 ISNS、则将 ILIMCOMP 连接到 VCC2
SW1 和 SW2 上的缓冲器
在 SW1 和 SW2 上放置缓冲器的空间
（然后，由于 EMI 等原因，可以在需要时填充它们，而不更改布局）
注意：缓冲器将电阻器连接到 GND 以获得更好的热性能

BIAS 已连接
如果未使用 BIAS、则连接到 VOUT 的 GND 或 VIN（不要保持开路）
BIAS 可连接到 VIN（如果未违反 BIAS 的最大额定值）、以使 LDO 在 BIAS 上具有更好的性能

在 MOSFET 栅极信号线中添加串联电阻
（然后可以在需要时更换它们（例如由于 EMI）、而无需更改布局、
附加选项：并联一个二极管以实现慢速导通和快速关断。
注意：良好的起始值为 3.3Ω、然后在测试 PCB 时进行调整
MOSFET 的额定电压
（建议裕度为 30%）
米勒效应平台
所使用的 MOSFET 需要是逻辑电平 MOSFET — 可以在 2.5V 至 3.5V 的范围内被米勒平坦区域看到
EMB06Q03VSCS 的数据表未在线提供
相对于最低输入电压的 UVLO 设置
UVLO 设置为 xV、但工作范围从 xV 开始 — 相对较大的距离
VCC 22uF 处的电容：（数据表最小值：6uF，带直流偏置）
请检查 Vcc 上的电容，以在考虑直流偏置的情况下获得所需的电容 — 我们在 EVM 上使用 22uF
VCC2 用于控制和驱动器电源
VCC1 可用于外部逻辑（如果未使用）、则可以禁用
需要 FB_IN：对于直通模式 — 仅使用外部 FB 分压器。使用内部 FB (FB 连接到 VCC2) 时、将其置于 AGND
如果应通过 I2C 设置电压、请将 FB 连接至 VCC2
FB 和 FBIN 的反馈分压器相同（检查是否需要 FBIN）
不使用时的 nRST 需要连接到 VIN