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工具/软件：
尊敬的 E2E 支持：
我们能否分享高侧开关 (min) 是什么、或者如何计算它、以便保持在安全工作区与自举电容器电荷之间？
此致、
您好、
对于高侧最短导通时间、没有直接的答案、因为它在很大程度上取决于应用。
应该保险的主要因素 是将 HS-HB 电压保持在器件的 UVLO 关断阈值（最大值 3.7V）以上、以 防止它关断。
为了确保该电压保持在可接受的水平，可以使用简单的电容器电压 — 电流关系： I = C * dv/dt。 在此公式中： -i 是高侧器件.3.5mA 的电流消耗、此处可使用。 -dv 是 高侧导通时电容器中的压降。 –dt 是高侧导通的时间。 -C 是自举电容值。 C 的设计应确保压降 (dv) 不低于最大 UVLO 关断阈值并具有一些额外裕度。
以 一个在 500kHz 下运行的降压转换器为例、高侧占空比为 80%。 在这里、周期为 1/500kHz =2us、高侧导通时间为 80%*2us = 1.6us。 假设 VCC 电压为 5V、自举电容器将充电至 Vboot = VCC - Vdiode = 5V - 0.9V = 4.1V
然后、当高侧导通的时间为 1.6us 时、电容器电压根据 Vdroop = dv/dt 下降。
现在，我们根据自举电容值进行设计 — 如果我要使 Vboot 保持在 3.7V 以上、比如大约 3.9V、Vdroplop 必须等于 0.2V。
因此、我可以重新排列上面的公式、求解 C：c = i*dt/dv= 3.5mA * 1.6us/0.2V=28nF。
谢谢、
John
