[参考译文] LM5122：LM5122 低侧 FET 源漏短路。

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Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A, CSD17577Q3A, LM5122, CSD17304Q3

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1563343/lm5122-lm5122-low-side-fet-source-drain-short

器件型号：LM5122
主题中讨论的其他器件： CSD17304Q3 、CSD17577Q3A、CSD18543Q3A

工具/软件：

你（们）好
我对 LM5122 有一些问题。

我们的工作条件=> 15~21V 电池,输出 24V,电流: 3.5A（裕度）
Web-Bench 高侧 FET : CSD17577Q3A/ 低侧 FET : CSD17304Q3.

但由于裕度、您使用了替代器件。
高侧/低侧 FET：CSD18543Q3A

第一个问题:您为什么在工作台使用不同的组件?
->

第二个问题:如果 USD 相同的组件, 可能会出现什么问题?
->

第三个问题：发生故障。（低侧 FET 源漏短路）。在哪些情况下会发生此类缺陷？
另外、输入侧还有一个 5A 磁珠、被烧坏了。什么可能是焊缝失效的原因？“

->

请帮帮我。

4 个月前

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2577385 points

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嗨、Jungho、

感谢您使用 e2e 论坛。

在比较 webench 和备选器件建议的 MOSFET 时、我可以看到 VDS 额定电压从 30V 变为 60V。
在此升压应用中、FET 上的最高电压应为 VOUT、该电压应调节至 24V。
这将在 webench 的 30V FET 中留下 25%的裕度。

强烈建议在 VOUT 和 MOSFET 额定值之间留出一定程度的裕度、因为开关节点上会出现高于 24V 的过冲。
过冲的幅度取决于原理图和布局、这意味着可能会发生超过 30V 的过冲。
为了减少过冲、我们建议增加栅极电阻或在开关节点上添加 RC 缓冲器。请测量开关节点波形以确认存在过冲。

MOSFET 选择的选择是系统中出现了多少过冲以及需要多少裕度来确保它们在运行期间不会中断。
如果客户说 25%的裕度足够、并且过冲随着栅极电阻的增大而降低、则 webench 建议的 FET 没有问题。
如果客户需要更大的裕度、额定电压为 60V 的替代器件将更适合。
甚至可以选择额定电压为 40V 的 FET、这会是一个折衷方案。

此致、
Niklas

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2577385 points

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您好 Niklas~~
我的第二个问题的答案是清楚的。

但我想知道您为什么推荐一些不同的东西。所有推荐元件的额定电压也为 30V。（第 1 个数值）

此外、由于元件更换、高侧/低侧 FET 开关操作期间是否会发生击穿？

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2577385 points

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嗨、Jungho、

感谢您的快速反馈。
我认为这里可以推荐额定电压为 30V 的元件。仅当您在开关节点上看到接近绝对最大额定值的强过冲时、额定值更高的元件才有意义。

您提到过 webench 推荐使用额定电压为 30V 的器件。在哪里推荐了额定电压为 60V 的器件？

与所选 MOSFET 器件无关、不太可能发生击穿。 LM5122 稳压器会检查驱动器信号何时变为低电平、并在每次开关操作之间增加死区时间、以避免击穿。

此致、
Niklas

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[参考译文] LM5122：LM5122 低侧 FET 源漏短路。