[参考译文] LM5122：LM5122 低侧 FET 源漏短路。

嗨、Jungho、

感谢您使用 e2e 论坛。

在比较 webench 和备选器件建议的 MOSFET 时、我可以看到 VDS 额定电压从 30V 变为 60V。
在此升压应用中、FET 上的最高电压应为 VOUT、该电压应调节至 24V。
这将在 webench 的 30V FET 中留下 25%的裕度。

强烈建议在 VOUT 和 MOSFET 额定值之间留出一定程度的裕度、因为开关节点上会出现高于 24V 的过冲。
过冲的幅度取决于原理图和布局、这意味着可能会发生超过 30V 的过冲。
为了减少过冲、我们建议增加栅极电阻或在开关节点上添加 RC 缓冲器。 请测量开关节点波形以确认存在过冲。

MOSFET 选择的选择是系统中出现了多少过冲以及 需要多少裕度来确保它们在运行期间不会中断。
如果客户说 25%的裕度足够、并且过冲随着栅极电阻的增大而降低、则 webench 建议的 FET 没有问题。
如果客户需要更大的裕度、额定电压为 60V 的替代器件将更适合。
甚至可以选择额定电压为 40V 的 FET、这会是一个折衷方案。

此致、
Niklas

您好 Niklas~~
我的 第二个问题的答案是清楚的。

但 我想知道您为什么推荐一些不同的东西。  所有推荐元件 的额定电压也为 30V。（第 1 个数值）

此外、由于元件更换、高侧/低侧 FET 开关操作期间是否会发生击穿？

嗨、Jungho、

感谢您的快速反馈。
我认为这里可以推荐额定电压为 30V 的元件。 仅当您在开关节点上看到接近绝对最大额定值的强过冲时、额定值更高的元件才有意义。

您提到过 webench 推荐使用额定电压为 30V 的器件。 在哪里推荐了额定电压为 60V 的器件？

与所选 MOSFET 器件无关、不太可能发生击穿。 LM5122 稳压器会检查驱动器信号何时变为低电平、并在每次开关操作之间增加死区时间、以避免 击穿。

此致、
Niklas