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[参考译文] UC1842:UC1842 和 UC1842A

Guru**** 2578735 points
Other Parts Discussed in Thread: UC1842A, UC1842

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1548534/uc1842-uc1842-and-uc1842a

部件号:UC1842


工具/软件:

我对 UC1842 和 UC1842A 有一些疑问。

1) 我们可以使用这些 IC 设计不带光隔离器的电源吗?

2) 我是否应在计算中使用我的测试要求电压或在计算中使用工作电压、例如、我设计的电源输入工作电压为 115+/- 10%、电源测试要求为 115+/- 20%

3) UC1842A 数据表中的 Vin 纹波和 Cin 公式相同、哪一个正确?

4) 如何计算 Vbulk (min ) 和 Vbulk (max)? 在一个数据表中 Vbulk(最小值)是 95V ,而在另一个数据表中它是 75V。

5) 在 UC1842 数据表第 25 页、公式 18 中、我们如何计算 Lm?

6) 在 UC1842 方程 39 中、什么是 Mideal? 是否与 Mc 相同? 在根据公式 38 知道 Se 和 Sn 之前、才能找到 MC。 要得出 Se、需要根据公式 41 确定 Mc。

7) 为什么与应用手册中相同规格的 12V 电源在 Webench 上进行仿真会得出与数据表相比不同的 NPS 和 NPA 值?

8) 如何设计电源的 EMI 滤波器以通过 DEF STAN 59-411 和 MIL-STAN-461 EMC

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    尊敬的 Sumaira:

    非常感谢您联系我们。 请给我们几天时间、我们将回复您并提供答案! 非常感谢您的理解。

    此致、

    Adhvaidh

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    尊敬的 Sumaira:

    感谢您的耐心和理解。  

    1) 它取决于您使用的转换器。 如果是非隔离式转换器、那么是的、您可以在不使用光耦合器的情况下设计您的系统。 但如果它是隔离式转换器、则需要使用光耦合器、因为它用于跨隔离栅发送误差信号。  

    2) 您能否解释一下您的测试要求究竟是什么意思?

    3) 感谢大家的注意。  只有 Cin 的公式正确。   

    4) 使用以下公式计算 V_Bulk (max):  。 V_bulk (min) 取决于 C_IN。  通常、其大小在 100uF 至 200uF 之间。

    5) Lm 的值基于您选择的变压器。 通常、它约为初级电感的 3%。

    6) 在峰值电流模式控制中、我们希望次谐波振荡在一个开关周期内消失(因此我们希望 Q_p 为 1)。 是的、M_Ideal 是 M_c 的特殊情况、其中 Q_p 为 1。 首先选择 Q_p 值、得到 M_C  根据选择、我们可以得到所需的斜率补偿 (S_e)

    7) 你可以分享你的 webench 链接,我会看看它,并得到你.

    8) 通常使用差模滤波器和共模滤波器。 我 在网上找到了一些关于军事和国防标准的链接。   https://www.vptpower.com/resources/videos/mil-std-461-conducted-emissions

    https://www.kamic.se/uploads/products/categoryfiles/Military-Vehicle-Filters-KAMIC.pdf

    https://premieremc.com/process-for-selecting-an-emi-filter/

    希望这有所帮助。

    如果您还有其他问题、敬请告知。

    谢谢你。

    此致、

    Adhvaidh  

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    尊敬的 Adhvaidh:  

    感谢您的答复。  

     1) 我设计的电源的正常工作条件是 115V+/- 10%、但为了符合 MIL-STD-1399-300 测试、它将在 115V+/- 20%下进行测试。 即电压和频率瞬态容差测试。 EUT 性能应在表中规定的瞬态频率和电压条件(标称值)下进行评估。 频率测试可以在元件基础上完成、而不是大型模块或完整的单元测试。 此测试应在正常工作负载下执行。' 它还将针对 150V 的过压条件进行 24 小时测试。 在这种情况下、我是否可以将其设计为 115-20%至 150V 交流电?

    2) Vbulk (min) 将如何依赖于 C-IN?   根据 Cin 的值计算 Vbulk (min) 的公式是什么?

    3) 我的 webench 链接是:  

    webench.ti.com/.../SDP.cgi

    4) 仿真模型提供 LT SPICE 是否适用于此设计。 我正在使用未加密版本来模拟设计。 我遇到了一些问题、无法使其正常工作。  

    5) 我是否可以选择 Qp 值为 1 进行计算?

    6) 数据表中没有太多关于变压器规格计算的内容。 是否可以使用任何其他参考材料进行变压器设计?

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    尊敬的 Sumaira:

    感谢您再次与我们联系!

    1) 可以、在这种情况下、您可以将其设计为 115V +/- 20%。

    2) 您可以将 Cin 值插入同一个公式、并求解 Vin BULK

        

    3) 我已根据 UC1842A 数据表(第 15 页、表 7.1)中给出的设计参数表更新了运行条件。 它现在与数据表中给出的 NPS 值匹配。 请参阅更新后的 Webench 链接: webench.ti.com/.../SDP.cgi

    4) 请在这个问题上给我一些时间。 我会仔细研究一下、然后回到您的身边。

    5) 如果您的应用程序要求您使用 1 的 Qp ,那么是的!

    6) 是的、请参阅 应用手册以了解反激式转换器的电感器设计。  

    谢谢、

    此致、

    Adhvaidh

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    您好、  

    感谢您的答复。

    Qp 有哪些具体规定、如何从我的要求中获取?

    有关变压器的文档仅显示了初级和次级绕组的计算、我的设计还具有辅助绕组。 如何进行计算。  

    此致、  

    Sumaira

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    尊敬的 Sumaira:

    1) 在峰值电流模式控制中,当您以 D>0.5 运行转换器时,可以在 N 个周期内观察到次谐波振荡,我们使用斜率补偿来避免这种情况。 现在、质量系数是 转换器双极点在开关频率一半处的特征公式。 Qp 值决定了系统双极点的阻尼程度。  理想情况下、我们希望在不过度补偿的情况下抑制极点并稳定控制环路(对应于 Qp = 1)。

    2) 您可以使用以下公式来设计辅助绕组:

                                    

                                            

    谢谢、

    此致、

    Adhvaidh

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    尊敬的 Adhvaidh:  

    感谢您的答复。 您是否可以查看此仿真:  

    webench.ti.com/.../SDP.cgi

    此仿真中的 Cin 为 10.8uF、在之前您提到的回复中、它应该介于 100 μ F 和 200uF 之间。 您知道为什么我在仿真中得到 10.8uF 吗?

    同样在 UC1842 数据表中、我无法将计算出的 Rvcc 值与仿真相匹配。 第 13 页上的公式 5。 您能解释一下如何计算这个值吗?

    使用 UC1842 数据表中的公式(公式 18、19、20)计算出的 Ipk(二极管)为 9.42A。 仿真中选择的输出二极管为 SS24FL。 SS24FL 的平均整流电流为 2A、这是不够的。  

    我已经取 Lm=3%的 LP。 计算得出的 Lp = 50mH

    COUT 也与仿真结果不同。 在仿真中、它是 180uF。 对于 0.676mA 的 Iout、我得到 Cout 约为 1500uF。

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    当然!

    您能否重新粘贴 Webench 链接? 这是无法访问的。

    谢谢、

    此致、

    Adhvaidh  

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    您好、  

    下面是设计链接。

    VIN = 85V 至 160V(交流)

    VOUT = 5V

    典型电流= 0.517A

    最大值 电流= 0.676A

    webench.ti.com/.../SDP.cgi

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    您好、

    1) Cin 介于 100-200uF 之间,只是大多数设计中的一个起点,而不是必需的。  

    2) R_vcc (max) 的计算值是多少? 公式 (5) 是可 通过仍 在 VCC 引脚上保持低输入阻抗来选择的最大电阻值。 如果您的计算值在计算值范围内、您应该没问题。  

    3) 二极管平均电流是总输出电流 (0.67A)、不等于峰值电流。 输出二极管峰值电流只是反射到次级侧的 MOSFET 峰值电流。 对于该二极管、峰值正向浪涌电流为 50A! 此外、我们有 2 个并联二极管、所以它应该没有问题。 如果您在硬件中实现它、我建议您 改用 I_F > 5A 的器件。

    4) 您能否 确认在所有计算中是否使用 98.8kHz 作为开关频率?

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    您好、  

    2) R_VCC 在仿真中称为 RAUX、为 10 Ω。 我的计算结果是使用以下公式:  

    2) 如果使用 2N6802 晶体管、

    2N6802 或等效器件的 Qg 为 4.46nC

    Ioutput = 4.46n x 50.58kHz = 0.023mA

    VIN (min) 是可用于 IC 的电压:

    对于最小输入电压(即 85V)、IC 的 Vin1 (min) 为:

    = Vin(峰值)- Vripple /2 二极管压降

    VIN (PEAK)= 120.21

    Vripple 通常为 15%= 120.21x0.15 = 18.03V

    两个二极管压降= 0.6 x 2 = 1.2V

    IC = 120.21- 9.01-1.2 = 109.99V 时的 VIN (min)

    Vvcc (max)= IC 的最大电压= 30V

    使用第 13 页上的公式、公式 5:

    Rvcc (max)= 109.99–30/0.011 +0.023m = 2352.6=2.35k Ω

    该值远高于 10 欧姆

    我已经使用了 IVCC= 11mA

    输出电流建议为数据表中的 200mA、但我是根据第 13 页中的公式 4(针对特定晶体管)计算得出的。  

    我不知道为什么我在价值观上会有很大差异?

    4) 我使用 50.588KHz 作为开关频率。 以下是仿真链接:

    webench.ti.com/.../SDP.cgi

    3) 什么应该是 Rramp 和 Rcsf?

    4) 你有机会看这个设备的 Spice 模型,它对我来说不起作用 LT Spice。

    此致、  

    Sumaira

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    尊敬的 Sumaira:

    - Vin (min) 是 用于为 VCC 供电的最小电压。 此处的 VCC 由辅助绕组供电。 请使用 辅助绕组两端的电压。 此外、MOSFET 的 Qg 为 33nC、而不是 4.46nC。 根据数据表“在正常工作状态下、通过限流电阻器为 VCC 供电。 尽管静态 VCC 电流仅为 0.5mA、但总电源电流更高、具体取决于输出电流。 总 VCC 电流是静态 VCC 电流和平均 OUTPUT 电流的总和。“ 因此、总 VCC 电流为 (0.5mA + I_output)= 2.1mA。

    由于 IOUTPUT 处于建议值 (200mA) 范围内、因此您应该没问题。

    -无法访问模拟链接。 您能否重新发送?  

    - R_ramp 和 R_csf 取决于补偿斜率。 请参阅数据表(第 29 页)

    -请给我一些时间,我会看看香料模型,并回到你。  

    谢谢、

    此致、

    Adhvaidh

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    尊敬的 Adhvaidh:  

    可以使用以下链接打开仿真:
    可以使用超链接 webench.ti.com/.../SDP.cgi 来访问它

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    尊敬的 Sumaira:

    我会对此进行研究。 「我知道你想要我做什么,我想和你复合。」

    谢谢、

    此致、

    Adhvaidh