[参考译文] BQ24170：BQ24170 的/BATDRV 引脚状态

此外、对 EVM 板也有疑问。

1) 要将充电电流设置为 4A、我是否可以修改 EVM 板上的电阻器 R30 = 100k Ω 而不是 232k Ω？

默认设置为 2Adc、用于通过 R30 = 232k Ω 和 R32 = 32.4k Ω 进行快速充电。

因此、VISET 将为 VREF*(32.4/264.4)~= 3300mV * 0.122 ~= 400mV

I (charge)= viset/（20*0.01 欧姆）= 2A

当 R30 更改为 100k Ω 时、可见性将约为 800mV。 更改了 I (Charge)Δ~= 4A

2) 对于 IDPM、我也要设置为 4A。

计算出的 V (ACSET) 需要为 4A*20*0.02 欧姆= 1.6V。  

因此、如果我将 R31 更改为 32.4k Ω、则 V (ACSET)~= 1.65V

上述修改是否正确？

SK。