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[参考译文] TPS7H3301-SP：浪涌缺陷/ DDR4 的推荐替代产品

admin
Guru**** 2589275 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS7H3301-SP, TPS7H3302-SP

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1565658/tps7h3301-sp-inrush-flaws-recommended-alternative-for-ddr4

器件型号：TPS7H3301-SP
主题中讨论的其他器件： TPS7H3302-SP

工具/软件：

您好、我们了解到、该器件具有 6A 浪涌电流并采用外部“带辅助“修复、作为用于 DDR4 器件时的建议。  您是否有适合与 DDR4 搭配使用的航天级替代器件？

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    TI__Guru**** 2589275 points
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    您好、Joseph：

    我的理解是、只有当 EN 被单独控制并且 VLDOIN 电源和 VDDQ 电源轨都存在时、才会出现这种浪涌行为。

    如果 EN 连接到 VDDQ（因此也连接 VDDQSNS）、则 VTTREF 输入处的内部时间常数会减慢启动速度。 如果 EN 是单独控制的、但 VLDOIN 与 VDDQ 电源轨分开、那么 它还可以通过使用相同的 EN 信号控制 VLDOIN 电源轨来控制浪涌、这样 DDR 终端稳压器输出启动时遵循输入（压降中）的压摆率。

    您还提到了外部电路方法来实现软启动。

    目前、我们没有具有内置软启动功能 （由 EN 引脚驱动）的航天级 DDR 终端稳压器。

    谢谢、

    Sarah

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    TI__Guru**** 2589275 points
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    我明白了。  此外、您是否会推荐 TPS7H3302-SP 而不是 TPS7H3301-SP？

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    TI__Guru**** 2589275 points
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    还需要确保我们需要将 EN（引脚 9）连接到 VLDOIN（引脚 3-6）、而不是连接到 VDD_VIN（引脚 10）。  谢谢。

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    TI__Guru**** 2589275 points
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    1 另外、 图 8-4 表明 EN 应该出现 VDD 与 VDDQ/VDDQSNS

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    TI__Guru**** 2589275 points
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     我们的一位电源工程师在一段时间内与大家合作、以供参考。

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    TI__Guru**** 2589275 points
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    您好、Joseph：

    1. TPS7H3301-SP 和 TPS7H3302-SP 在电气上是等效的。 主要区别在于封装：前者是 QMLV、后者是 QMLP。

    2.为帮助减轻浪涌（使用内部 VTTREF 时间常数）、最好将 EN 连接到与 VDDQSNS 相同的电源轨。 这样、当 VTTREF 上升时（而不是已经为高电平时）、器件被启用。 由于保证 EN 处于高电平的最小电压为 1.7V、因此这将产生 DDR4 电压电平所带来的挑战。 您可以通过一些外部电路来解决这个问题、 或者可能使用与此 DDR 端接器相同的 EN 信号作为提供 VDDQ 电源轨的上游器件作为权变措施。  

    3.图 8-4 中显示的方法也应该有效、但从浪涌角度来看、您需要假设当 VLDOIN 和 VDDQSNS（以及 VTTREF）为高电平时、VDD_VIN 始终为高电平。 如果 VDD_VIN 足够低、可以关断器件、然后再次上升以重新导通器件、但 VLDOIN 和 VDDQSNS 仍然很高、则您可能会因快速导通而看到浪涌。 在图 8-4 中、启动浪涌将通过馈送 VLDOIN 的电源轨的受控压摆率和 内部 VTTREF 时间常数（由 VDDQSNS 控制）来解决。  

    4、感谢您对几年前的背景介绍。 如果我正确理解内容、似乎已稳定的修复程序基本上会根据需要将 VDDQSNS 信号短路、从而在允许受控重新启动的同时禁用。 我假设当 VDDQ 为高电平时、此设计的 VDD_VIN 电源轨为高电平、以满足我前面提到的条件。  

    谢谢、

    Sarah