[参考译文] UCC21750：UCC21750DWR 是否适合工业应用？

尊敬的 Hongmei：

UCC21750 等保护栅极驱动器具有多个可保护更大 FET 和模块的额外引脚。 为了可靠地驱动低成本、低电流 FET 和 IGBT、只需使用 UCC5390 或 UCC23525 等更简单的栅极驱动器。 除非您使用模块或非常大的电流 FET、否则我不建议 UCC21750、因为即使在禁用时、额外的保护功能也可能发生故障。

如果您正在使用模块进行设计、可提供 UCC21750 的更新版本、这些版本将于今年年底发布。 这可能会引起关注、因为它们的成本更低、并且具有不同的特性。

UCC21750 的 AIN/APWM 引脚只有 10kHz 带宽、因此仅适用于监测温度或高压总线电平。 对于相电压或电流等更高带宽的信号、仍需要专用的外部隔离式放大器。 因此、较新的变体中移除了它以降低总成本。

例如、UCC23711 将在 11 月发布。 它具有用于监测输出（并在过流期间施加软关断）的 DESAT 引脚和米勒钳位、但没有 AIN 功能。

此致、

Sean

尊敬的 Hongmei：

UCC23711 的封装尺寸和功能与竞争对手器件 ACPL332J 相同。  

2.该器件没有计划预量产样片,因此首批可用器件将于 11 月上市 (RTM)。

3.新一代将修复原始 UCC21750 的几个错误,最重要的是在晶圆级设计上添加测试垫,从而实现更全面的最终测试和质量控制。

4. ISO5852 确实是 P2P 的,它只是一个比 UCC21750 老的一代。 它的 ROH/ROL 为、0.65Ω 为 2.5Ω、0.3Ω 为 12Ω。 尽管该驱动强度具有较高的阻抗、但除非您最初使用的是外部 Rg 的 0Ω、否则通常可以考虑该差异。  

此致、

Sean

尊敬的 Hongmei：

是的、UCC21750 整体是一款更好的器件。 对于 SiC FET、您应该查看 UCC21710、它具有 OC 引脚而不是 DESAT 引脚。  

这通常更适合 SiC FET、因为与短路的不饱和 IGBT 相比、在不消耗更多电流的情况下、您无法安全地让 FET 上的 Vds 上升至 9V。

此致、

Sean