工具/软件：
您好、
我们使用 LM74502QDDFRQ1 IC 来驱动两个背对背连接的 NMOSFET (NVMFS5C673NLAFT1G)、其输入电容 (CISS) 为 880 pF。 我们选择了 10nF 的 VCAP 电容器、输入电源电压为 14V
但是、我们观察到、IC 需要大约 1ms 的时间使 VEN 信号栅极上升。 您能帮助我们了解如何缩短上升时间吗？
尊敬的 Jeevabharathi：
建议的最小电容为 100nF、请勿使用 10nF。
接下来、无法通过 EN 信号缩短该时间。
您可以尝试使用 OV 而不是 EN 上电、从而加快导通速度。
此致、
Shiven Dhir
尊敬的 Shiven Dhir：
我们将 VCAP 电容器更新为 0.22 µF 。 不过、我们观察到了栅极电压最初无法完全导通的问题。 它最初脉冲至 8V 左右 、只有一段时间后才会完全上升至 23V
我们已将 OV 连接至 GND 和 VS - 13.5V。
已附上图像以供参考。
我们还尝试进一步降低 VCAP 值、但问题仍然存在。
请帮助我们纠正此问题。
谢谢你。
尊敬的 Shiven Dhir 、
请找到随附的图像以供参考。
以下探测期间使用的 VCAP 为 0.1uF
1) 在栅极脉冲时间的 VCAP-VS 电压约为 7V（红色通道: VCAP - VS）
2) 其中作为 GATE-SRC 电压约为 3.8V （红色通道: VGATE-VSRC）
请分享您对此的想法。
谢谢您、
Jeevabharathi
尊敬的 Shiven Dhir：
由于我们目前处于评估阶段、因此尚未提供详细的原理图。 不过、我可以分享一下在我们的验证过程中使用的粗略电路图。 请找到随附的图像以供参考。
期待您的答复。
谢谢您、
Jeeva.
