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[参考译文] LM5017:芯片测试问题

Guru**** 2553380 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5017

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1567311/lm5017-problems-with-chip-testing

器件型号:LM5017


工具/软件:

LM5017MRX/NOPB 问题汇总 :μ s

应用

家用储能驱动辅助电源、输入电压 21-46.5V、初级侧的一个绕组输出 10.5V 负载 300mA、次级侧的两个绕组输出 10.5V 负载 40mA。

  1. LM5017 自举电容器:μ F

在应用电路中、BST 电容器的规格为 0.01uF。 根据之前的应用经验、我们已将电容器调整为 100nF。。μ F

 

问题

  • 设置 10nF 背后的注意事项是什么? 将电容器调整为 100nF 是否会对内部电路产生任何影响
  • 您能否提供 100℃ 处内部 BST 二极管的浪涌电流容量
  • BST 电容器充电电路内部是否有限流电阻器? 如果是、那么它是

当自提升电容器 100nF 的 BST 电压在启动时确定为 7.6V 时、没有脉冲。 在波形生成时、脉冲电流约为 38mA(启动时波形生成期间的脉冲电流)、如下图所示。

 

BST 电压遵循外部 Vcc 电压。 当启动并生成波形时、当第二个波开始并且外部电压超过 7.6V 的内部 LDO 输出时、将产生浪涌电流、这将影响内部 BST。

SW-RTN 的电压应力

问题

  • SW-RTN 规格表中的应力参数为 Vin+0.3V。 0.3V 背后的注意事项是什么? 是否不用担心上体二极管可能会在短时间内因大电流而损坏、或者内部是否有其他无法承受高电压的元件? Vin Max=100V 还是实际输入电压?
  • 对于 SW-RTN、我们在轻负载下检测到 Vin+1V (Vin=13.2V) 的尖峰。 通过增加 Vin 电压、尖峰会上升到 Vin+2V (Vin= 25V)。 帮助评估这是否存在任何风险。

 

上部体二极管的导通压降会将 SW-RTN 钳位到 Vin+0.3V。 因此、规格表提供了理论上的钳位值、不一定必须低于该值。

SW-VIN 电压应力

问题

 

是否需要参考 SW-RTN 来检查 SW-Vin 规格(上部 MOS 应力)?

 

我们测试自己具有–2.1V@73ns 的负尖峰和+1.4V@87ns 的正尖峰。 。评估 SW-Vin 的这种正规格还是负规格是否存在任何风险、以及它如何视为 μ V

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Tony  

    • 设置 10nF 背后的注意事项是什么? 将电容器调整为 100nF 是否会对内部电路产生任何影响、=> CBOOT 应比 CVCC 大~ 10 倍。 此外、应该足够大、使 V (BOOT-SW) 压降小于~0.3V。  
    • 您能否在 100℃ =>处提供内部 BST 二极管的浪涌电流容量  、需要一段时间才能得到答案。  
    • BST 电容器充电电路内部是否有限流电阻器? 如果是、那么它是?==>否、我们没有。 但是、二极管本身具有寄生电阻。  
    • SW-RTN 规格表中的应力参数为 Vin+0.3V。 0.3V 背后的注意事项是什么? 是否不用担心上体二极管可能会在短时间内因大电流而损坏、或者内部是否有其他无法承受高电压的元件? =>两者  
    • Vin Max=100V 还是实际输入电压? ==>100V 是绝对最大值。 V (VIN-RTN) 应始终小于或等于 100V。   
    • 对于 SW-RTN、我们在轻负载下检测到 Vin+1V (Vin=13.2V) 的尖峰。 通过增加 Vin 电压、尖峰会上升到 Vin+2V (Vin= 25V)。 帮助评估此情况是否存在任何风险。==>我无法保证数据表之外有任何其他风险。   
    • 是否需要参考 SW-RTN 来检查 SW-Vin 规格(上部 MOS 应力)? =>是

    - EL  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Tony

    通常、二极管可以处理约 1A 的电流、但我无法保证在数据表之外有任何其他情况。  

    - EL

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    设置 10nF 背后的注意事项是什么? 将电容器调整为 100nF 是否会对内部电路产生任何影响、=> CBOOT 应比 CVCC 大~ 10 倍。 此外、应该足够大、使 V (BOOT-SW) 压降小于~0.3V。  

    ——CvcC 应该是 Cboot 的十倍。  它需要足够大、以确保压降小于 0.3V。  这是否意味着只要压降小于 0.3V、电容器不必完全等于规格表中指定的电容值?

     Vin Max=100V 还是  实际 输入 电压?  ===>100V    绝对 最大值 V (VIN-RTN) 应  始终 小于  或 等于  100V。

    要求 SW-RTN 中的 Vin 是否小于规格表中的 Vin + 0.3V 实际输入电压或 100V?  或者、这是否意味着、只要 SW-RTN 小于 100V - 0.3V、就可以正常工作、而不必是实际输入电压减 0.3V?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Tonyx

    这是否意味着、只要压降小于 0.3V、电容器不必完全是规格表中指定的电容值、这就是通用指南。  由于该器件通过 10nF CBOOT 验证、如果没有特殊原因、我建议您使用 10nF 的其他值。  

    或者、这是否意味着、只要 SW-RTN 小于 100V - 0.3V、就可以正常工作、不必是实际输入电压减 0.3V =>这意味着 V (VIN-RTN)+0.3V 应始终大于 V (SW-RTN)。

    - EL