工具/软件：
尊敬的 TI 团队
在以下方面需要您的专家团队支持：
我们的栅极驱动要求是 20A
我们选择了 TI UCC21750QDWRQ1 (10A) 并使用电流缓冲器/放大器 IXD_630 (30A) 来满足 栅极驱动要求。
问题是：如何使用此组合实现软关断（TI GD + IXD_630 --> SiC 电源模块） ？
谢谢
尊敬的 Chandra：
您认为需要 20A-30A 栅极驱动电流的 FET 或 IGBT 器件型号是什么？ 我所熟悉的最大的 IGBT 模块是 FF800R12KE7 。
我使用多个栅极驱动器测试了该模块、并使用 1 欧姆的外部 Rg 和差分探头 (Igate) 测量了栅极电流。 这些“10A"栅“栅极驱动器甚至不会向此实际负载提供 4A 的输出电流、因为它们具有有限的 di/dt 上升时间、并且在输出达到饱和限值之前、栅极电压增加到足以使 (Vdd-Vgs)/Rgate 设置比饱和值更低的电流限值。 虽然我确实同意缓冲器将提供比 UCC21750 2.5 Ω 更低的 0.3 欧姆电阻、但峰值电流不一定会高 3 倍。
此 IXD_630 是 CMOS 缓冲器、可将软关断缓冲为强关断。 如果改用 BJT 图腾柱缓冲器、可以使用一些电路、因为这是线性图腾柱缓冲器。
因此、我的建议是首先尝试单独检查 UCC21750 的性能。 如果您使用此缓冲器构建电路、则应添加一个带 DNP 0 欧姆电阻器的旁路路径、以便轻松比较缓冲器与无缓冲器的性能。 希望您会发现集成输出级已足够、然后您可以保留该器件的软关断功能。
此致、
Sean
非常感谢 Sean、感谢 您对我们方法的快速支持和有用见解
以下是更多详细信息：
电源模块部件号: CAB6R0A23GM4T,来自 WOLF SPEED 的 SiC MOSFET 电源模块,2300V,200A,6m Ω
驱动电流要求 (I source/sink @Rg =0) 为 14.6A
因此、根据工程要求、我们将搜索具有内置安全功能且不具有 SPI 通信功能的 15A 栅极驱动器
这促使 TI UCC21750QDWRQ1 (10A)+电流缓冲器/放大器 IXD_630 (30A) 来满足 栅极驱动要求。
假设：尽管 TI 栅极驱动器具有软关断功能、但经过超过 2 级的批准会导致软关断损耗。
软关断损耗将产生什么影响？
您的专业知识中有哪些可能的缓解技术？
感谢您的支持
Chandra
