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器件型号：BQ25895工具/软件：
据我所知、USB 标准直接要求 VBUS 上的电容不超过 10 μ F、以便限制插入主机时的浪涌电流。 我的设计将直接在 VBUS 上的电容小于 10uF、但我注意到有一条通过 RBFET 的体二极管到 PMID 上的电容器的间接路径。 如果我在 PMID 上使用建议的~40uF 电容（正如我计划使用 OTG 模式）、这是否会导致过大的浪涌电流？ BQ25895 中是否有任何可提供浪涌限制的功能？
谢谢。
