主题中讨论的其他器件: UCC28950、 LMG3650R035、 LMG3650R025
工具/软件:
尊敬的产品线应用工程师
我们是否有任何有助于基于 UCC28951 设计 PSFB 电源的文档? 谢谢。
此致、
Bill
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工具/软件:
尊敬的产品线应用工程师
我们是否有任何有助于基于 UCC28951 设计 PSFB 电源的文档? 谢谢。
此致、
Bill
你好、JCHK
明白。 另一件事:与数据表标准设计相比、我的设计有很大差异。 主要差异如下所示。
1.在标准设计中,控制器在第二侧。 设计中的控制器。
2.在标准设计中, 输出电压小于输入电压。 在我的设计中、输出电压可在 0~500V 范围内进行调节。
3.标准设计使用 CT 感应开关电流,在我的设计中,我使用电阻感器感应开关电流。
4.在标准设计中、MOSFET 是传统 MOSFET、在我的设计中、我使用 TI GaN MOSFET:LMG3650R025 或 LMG3650R035。
…
所有这一切都会导致 SLUC222E 对我的设计没有多大帮助。
目前我正在调试 PCBA 板。 我将输入电压从低电平增大到高电平、以检查电路是否运行、并确认功能是否正确。 例如、I 将输入电压设置为 40V、输出电压可在 0~32V 范围内调节、输出电流为 1A。 电路可以运行、并且我可以使输出满足我的预期。
但是、当 I 将输入电压增加到~120VDC 并将输出增加到 99V/1A 时、我遇到 GaNMOSFET 损坏问题。 接下来我再回顾一下电路。 您能帮我查看原理图并解决这个问题吗? 下面是用于检查的原理图。
e2e.ti.com/.../Electrosurgical-Unit-Energy-Platform.pdf
下面是我的问题:
1.匀场电感器是否良好? 匀场电感器的良好值是多少?
2.标签和 TCD 的最佳延迟时间是多少? TMIN?DCM?
非常感谢您的支持!
此致、
Bill
尊敬的 Bill:
为了更好地理解问题、您能否提供以下问题的详细信息?
1.是初级侧 GaN FET 损坏还是次级侧损坏?
2.请在损坏期间提供 GaN FET 的漏源电压、输出电压和电流波形。
要回答您的问题、
1.匀场电感器是否良好? 匀场电感器的良好值是多少?
这取决于您的要求、较高的匀场电感值将确保 ZVS 用于较高的负载范围并降低整个负载范围内的开关损耗、但也会增加导通损耗。 因此、需要根据应用进行调优以找到合适的匀场电感。
2.标签和 TCD 的最佳延迟时间是多少? TMIN?DCM?
所选择的死区时间应足以使 FET 完全对其 Coss 进行充电/放电、从而确保 ZVS 开关。 死区时间需要根据所选 FET 的 Coss 以及需要 ZVS 的最小负载进行调整。 为转换器启用 DCM 的最佳点将取决于 SR FET 在整个负载范围内的开关损耗和导通损耗。 当开关损耗超过导通损耗并高于导通损耗时、最好启用 DCM 模式。
此致、
Deepak K