[参考译文] BQ25750：SYS 输出中断（上升至 48V、然后崩溃至~4V）、适配器或电池不充电

您好 Sabith、

感谢您的研究。

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery

连接 A 时的总线电压 48V 适配器输入 、则 IC 保留 反复打开和关闭 ：

• SYS 输出最初快速上升至 48V 、

• 但在分裂的秒内,它会倒塌回大约 4V 当 IC 关闭时、

• 然后循环重复、产生声音 tsk tsk 发出嘀嗒声 。

结果是输出不稳定 电池未充电 。

]哪些情况会导致 IC 断续（尝试启动，然后关闭）？

SYS 上有负载吗？ 高浪涌电流 (>8A) 可能会导致 ACFET 关闭、然后 SYS 上的负载可能会下拉 VSYS 节点。 这可以使充电器导通和关断。 这里有有关电源路径切换的常见问题解答。

我应该测量哪些关键引脚来确认故障（例如， ACDET、ACDRV、REGN、ILIM_HIZ、SYS、 SRN/SRP、BATDRV/BATSRC )？

我将测量 ACDRV、BAT_DRV、VAC 和 VSYS 引脚。

可能不正确 ILIM_HIZ 电阻值、ACDET 分压器或自举电容大小 导致此行为？

我认为您需要不同的 FET 作为电源路径。 我推荐使用 NTMFSC4D2N10MC、AONS6226 或 AONS66917 等 FET。

如果您对此有任何疑问、敬请告知。

编辑:我也删除了你的帖子的专有信息。 感谢您对此有耐心。

此外、您是否可以为应用使用自动反向模式而不是电源路径？

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan Gallowy：

感谢您之前的答复。 我们已重新验证设置、并获取了以下详细信息以供您查看：

测试条件
•在此测试期间未将外部负载连接到系统。
•VSYS 会路由到降压转换器以生成 5V 电压；但是、在这种情况下、降压输出也保持空载状态。
•输入适配器电源：稳定 48V 直流。

观察到的行为
•IC 反复尝试启动和关闭、产生 tsk tsk 声音。
•VAC（适配器引脚）：在 48V 时稳定
•VSYS：保持在~4V、在 IC 导通时短暂上升、然后在 IC 关断时折叠回~4V。 这个循环将重复。
•ACDRV：毫伏范围内波动到零、未达到预期的栅极驱动高电压。
•BAT_DRV：几毫伏波动、不会完全变为 0V

设计目标
•最大应用电流：约为 3–4A

根据这些条件、您认为是否仍有必要更改 MOSFET、或者我们是否应该先了解其他问题？

感谢您提供有关导致这种断续行为的指导。

谢谢、
Sabith

您好 Sabith、

感谢您耐心等待响应。 我将在本周晚些时候回到您的问题。

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、

感谢您花时间查看我的查询。 非常感谢您对这一问题的支持、我将等待您的更新。

此致、
Sabith

您好 Sabith、

对于您的应用、我认为使用负载开关或电子保险丝比 BQ25750 的 ACFET 更容易。

要使 MOSFET 正常工作、您可以在 MOSFET 的栅极和漏极之间安装一个 RC 滤波器。 RC 滤波器将减慢 MOSFET 的导通速度、并防止浪涌电流损坏电路。 您可能需要短接 BQ25750 的输入电流检测电阻器以禁用电源路径浪涌电流切换保护。

请记住、来自 48V 的浪涌电流会很大。

如果您对此有任何疑问、敬请告知。

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、

我更改了电路板上的 MOSFET、并按照建议在输入端添加了一个电容器和电阻器。

标记的 MOSFET 已更改 (SIR880BDP-T1-RE3-->AONS66920)。

将 RC 滤波器从栅极更改为漏极

这是我们连接白炽灯时看到的浪涌电流！！

现在、在测试时：

• 直接适配器电源正常工作。

• 电池放电也起作用。

但仍有两个问题：

1. 电池未充电。

2. 放电时、不会将电池升压至 48V。如果电池电压低于 48V、则输出端也会出现相同的较低电压。

您能指导我如何解决这两个问题吗？

感谢您迄今为止提供的宝贵指导；我非常感谢您的指导。
谢谢、
Sabith

您好 Sabith、

电池未在充电。

您是否可以从 BQ25750 共享状态和标志寄存器？

放电时、电池不会升压至 48V。如果电池电压低于 48V、则输出端会出现相同的较低电压。

BQ25750 在没有反向模式的情况下无法提高电池电压。 您在这里使用的是反向模式吗？

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

I²C 将 BQ25750RRVR 和 ATTINY3224-SSU 用作 MCU 以实现 μ I²C 通信、但在测试期间、MCU 未通电、因此未发送 μ 命令。

在我们的设计中、CE 引脚（引脚 7）接地以支持运行、并且原理图遵循数据表参考电路。

请告知：

1. 如何在此配置中启用反向（升压）模式？

2. 启用反向模式是否必须对 μ I²C 进行编程、或者是否可以仅通过硬件实现？

3. 为什么即使 CE 连接到低电平、也不会进行充电？

再次感谢您的宝贵支持。

此致、
Sabith

您好 Sabith、

1. 您将需要使用 I2C 命令来启用反向模式。
2. 是的、需要对 I2C 进行编程才能启用反向模式。
3. 不进行充电的原因有多种。 VAC 电压可能超出 ACOV 和 ACUV 引脚设置的范围。 DRV_SUP 可能没有获得足够的功率。 为了帮助我们进行调试、您能否共享状态和标志寄存器？

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethan：

跟进我们持续的讨论—我收到了客户的最终收费规范：

• 电池包充电电压： 54.75V (max)
• 充电电流： 3A（如果电源板允许并且 6A PSU 上没有其他负载，可能会更高）
• 电池配置： 15S LFP 电芯、具有 2/3/4 个并联选项

多个器件 Arduino Uno 此设置中的 MCU。 我已经尝试了多个 I2C 程序、但没有一个程序适用于此配置。 其中一个 IC 甚至在测试过程中损坏、因此我想确保我们的一致性、然后再继续。

请确认：

• 是否有验证 I2C 程序 与此规范和 Arduino Uno 兼容？
• 在哪里可以找到支持这两者的可靠 I2C 程序 反向模式 和 开始平稳过渡 ？
• 我是否应该遵循任何安全预防措施以避免进一步的硬件损坏？

感谢您的帮助—期待顺利解决此问题。

此致、
Sabith

您好 Sabith、

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6011097

• 是否有验证 I2C 程序 与此规范和 Arduino Uno 兼容？
• 在哪里可以找到支持这两者的可靠 I2C 程序 反向模式 和 开始平稳过渡 ？

[/报价]

我们没有专门针对 Arduino Uno 的。 我们确实有一个 FreeRTOS 驱动程序和一个 Linux 驱动程序： pv50_FreeRT Os_Driver．zip 、 pv0.patch

我是否应该遵循任何安全预防措施以避免进一步的硬件损坏？

我将确保电路在较低电压下工作。 确保反向模式可以在 20V 时导通和关断。 此外、如果尚未移除 BATFET、请在测试期间移除 BATFET。

如果您有任何其他问题、请告诉我。

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、

感谢您的答复和指导。

在测试 I2C 程序时、遗憾的是 IC 被烧录。 更换 BQ25750 后、我们能够获得 48V 输出、但 IC 没有在驱动电源和 REGN 上提供 5V 电压。

然后、我们更换了 MOSFET（在所附的图中标记）。 但是、在测试期间、MOSFET 反复出现故障（大约 4 次）。 它没有物理损坏、但引脚会发生短路。 在栅极、我们只看到 10–11V。 您能指导我们为什么 MOSFET 可能会损坏、以及为什么驱动电源和 REGN 上没有 5V 电压？

此外、我们使用 Arduino 作为 MCU 编写了一个 I2C 测试程序。 我将与电路图共享串行监测数据。 目前：

• 电池未充电。

• 电池输出没有得到升压。

• 在检查电路板时、我注意到电池电压到达升压电路中的 Q3（在图中我用红色标记了放电路径）。

您能否回顾一下并向我们提供进一步的建议？

再次感谢您的耐心和支持。

此致、
Sabith

电路图、标记了电池路径（红线）、并标记了 MOSFET 变化（黑色方形）

串行监视器数据！！

您好 Sabith、

感谢您的研究。

能否检查 ACN/ACP 和 SRN/SRP 电阻器 (R3、R4、R11、R12) 的电阻？ 这些电阻器的测量值应称为 10Ω。 如果没有、您需要更换电阻器。 为了获得良好的测量效果、您可能还需要更换 IC。

您是否也可以使用万用表的二极管或电阻功能来检查所有 MOSFET？ 我建议从电路中移除 BATFET 以简化测试 (Q5 和 Q8)。 如果您使用反向模式、系统不需要 BATFET。

我还建议短接开关 FET 的栅极电阻器以获得良好的测量效果。

如果这对我有帮助、请告诉我。

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、

感谢您的指导。

我们之前已经更换过 IC。 对于电阻器、它们最初是 1kΩ（电阻器损坏；我们组装的电阻器仅为 10 欧姆！）。 但按照建议、我们现在已将它们替换为 10Ω。 使用万用表的二极管功能检查 MOSFET 时、读数为 440 和 550。 此外,当我们一直测试时,stat1 和 2 LED 指示灯都亮起！！

但是、系统仍然无法在反向模式和充电下工作。 我将在此主题中附加串行端口数据以供您查看。 我在下面的线程中添加了我们使用的程序（我无法在代码中插入它）。 请检查并建议后续步骤。

此致、
Sabith

您好 Sabith、

当 IC 设置为反向模式时、VAC 上是否有电压？

您可能需要移除 VAC 电压或将 ACUV 引脚拉至低电平以启用反向模式。

如果这对我有帮助、请告诉我。 我会尝试做一个更详细的审查你发布的代码本周晚些时候. 已经有一段时间了。

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、

我们对进行了测试 反向模式 的稳压器功能 BQ25750 没有 VAC 输入、但我们无法获得任何升压输出。

测试设置

• VBAT = 32V  
• VAC =未连接
• 禁用充电 位置 EN_CHG = 0
• 启用中的以下位REG0x19 – Power_Path_and_Reverse_Mode_Control：
  • EN_REV
  • EN_AUTO_REV
  • PWRPATH_REDUCE_VDRV
  • EN_PFM

尽管采用了这种配置、但 BOOST 输出未激活。

观察  

• REGN 和 DRV_SUP 引脚为 0V  。 根据数据表、这些引脚应提供用于降压/升压操作的内部电源。 这是否是增强功能无法正常工作的原因？
• FET 驱动电压 行为不符合预期。 但我们对其进行了配置 7V  、它似乎也在跟踪 VBAT 或 VAC 直接运行、具体取决于存在的是哪一个。
• 已尝试禁用 BATFET Power_Path 寄存器输入、但栅极信号保持有效状态。

请告知：

1. 如何正确启用 REGN 和 DRV_SUP？ 它们是否取决于特定的序列或寄存器配置？
2. 是否有用于启用带升压的反向模式的建议初始化序列？ 我们应该注意任何时序或寄存器依赖项？
3. 在 FET 驱动器 (ACFET/BATFET) 上观察到的高电压是否表明 IC 存在故障或潜在损坏？ 或者、在某些情况下预计会这样做吗？

如能提供任何指导或作出任何澄清、将不胜感激。

此致、
Sabith

您好 Sabith、

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6037269 REGN 和 DRV_SUP 引脚为 0V  。 根据数据表、这些引脚应提供用于降压/升压操作的内部电源。 这可能是提升功能无法正常工作的原因吗？

是的、这是反向模式无法正常工作的原因之一。 您能否读取 IC 的状态和标志寄存器？

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6037269 如何正确启用 REGN 和 DRV_SUP？ 它们是否取决于特定的序列或寄存器配置？

当转换器启动或启用 ADC 时、REGN 将自动启动。 DRV_SUP 可随时由外部电源供电。 请勿尝试为 rgen 提供外部电源。 这可能会损坏 IC。

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6037269 是否有用于启用带升压的反向模式的建议初始化序列？ 我们应该了解的任何时序或寄存器相关性？

不应存在任何寄存器依赖项。 SYS 引脚上是否看到任何电压？

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6037269 在 FET 驱动器 (ACFET/BATFET) 上观察到的高电压是否表明 IC 存在故障或潜在损坏？ 还是在某些情况下预计会出现此情况？

您能详细说明一下在这里看到的内容吗？ 当 BATFET 仍然导通时、您看到 BATDRV 和 BATSRC 的电压与 VBAT 相同？ 这可能表明 BATFET 和 ACFET 损坏。 BATDRV 通过施加 VBAT+7V 或+10V 的电压来导通 BATFET。

此致、
Ethan Galloway

嘿、Ethen、

再次感谢您的指导。

满足 VAC 要求（即 VAC > VAC_OK 且处于 ACUV–ACOV 范围内）、并启用 EN_CHG 位并下拉 CE 引脚后、REGN 被启用并提供 5V 输出。 REGN 引脚连接到 DRV_SUP、该引脚的测量值也为 5V

已测试充电条件、  

• 激活 NO_HIZ 模式                      -   通过
• REGN > VREGN_OK（满足 3.1V 阈值）       -   通过
• 已设置 EN_CHG 位                             -   完成
• CE 引脚被拉至低电平                            -   完成
• 无 TS 故障                                 -    失败
• 未使能安全计时器                       -    通过

 观察结果

1. TS 引脚行为

   • 最初设置为 REGN 的 86%、这超过了 VT1_RISE
   • 调整至 73%—无变化（未充电）
   • 禁用 TS 功能→STAT1 引脚变为高电平（充电指示）
   • 所有这些都已完成 未连接电池

2. 电池已连接

   • STAT1 和 STAT2 都变为高电平
   • 显示 FAULT_STATUS_REGISTER DRV_OKZ_STAT = 1 （DRV_SUP 问题）
   • REGN 电压从 5V 降至 3.2V
   • 在~100mV 时测量降压/升压栅极信号 — 未观察到开关
   • 尽管 STAT1 为高电平、BATFET 仍保持关闭（无电池）

3. ACFET/BATFET 栅极电压

   • 值 ~54V 栅极引脚处
   • 已确认该电压源自 IC 输出（移除串联电阻后）

摘要

• REGN 最初输出 5V
• 禁用 TS 引脚功能
• 无电池：STAT1 为高电平、FAULT_REGISTER 中未指示故障
• 电池：STAT1 和 STAT2 为高电平时、出现 DRV_SUP 故障
• 连接电池后、REGN 降至 3.2V
• 降压/升压 FET 上没有栅极驱动脉冲
• 在充电指示期间、BATFET 保持关闭状态
• IC 输出~54V 至 ACFET/BATFET 栅极

请告诉我您的想法

1. REGN LDO 输出

   • 在电池连接的情况下、REGN 应该输出什么？
   • 在电源路径控制寄存器中、DRV_SUP 可被设置为 7V 或 10V — 这如何影响 REGN？

2. IC 健康问题

   • 实际状态 54 V ACFET/BATFET 栅极内部损坏的迹象？
   • 什么可能导致 REGN 降至 3.2V？

3. 栅极驱动行为

   • 为什么尽管 STAT1 指示在充电、但降压/升压栅极信号仍然不存在？
   • 这是否可能与 DRV_SUP 欠压或一些内部故障有关？

让我知道您的想法。  

此致、

Sabith

您好 Sabith、

感谢您的详细撰写。 对于这些测试、您的 VAC 和电池电压是多少？

我建议在对电路进行初始测试时使用较低的电压（20V 等）。 电压越低、使用起来就越容易。

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6038089

REGN LDO 输出

• 在电池连接的情况下、REGN 应该输出什么？
• 在电源路径控制寄存器中、DRV_SUP 可被设置为 7V 或 10V — 这如何影响 REGN

[/报价]

在充电、反向模式期间或 ADC 导通时、REGN 只能达到 5V。

更改该寄存器应该对 REGN 没有影响。 这仅控制 BATFET 和 ACFET 的驱动电压。

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6038089

IC 健康问题

• 实际状态 54 V ACFET/BATFET 栅极内部损坏的迹象？
• 什么可能导致 REGN 降至 3.2V？

[/报价]

未连接电池时、IC 是否输出 54V？ 这可能是损坏的迹象。

充电启动然后快速停止可能会导致 REGN 电压下降过多 3.2V。

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6038089

栅极驱动行为

• 为什么尽管 STAT1 指示在充电、但降压/升压栅极信号仍然不存在？
• 这是否可能与 DRV_SUP 欠压或一些内部故障有关？

[/报价]

这可能表明开关 FET 已损坏。 我建议使用万用表检查这些 FET。

DRV_SUP 可能只是因为 REGN 变为低电平而指示故障。 只是为了确认、DRV_SUP 通过一个 0Ω 电阻器连接到 REGN、对吗？

此致、
Ethan Galloway

嘿、Ethen、

再次感谢您的指导。

[引用 userid=“454523" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6040659 ]在对电路进行初始测试时、我建议使用较低的电压（20V 左右）。 较低的电压将更易于使用。

当然、我们已经订购了 IC、在使用它们时、我们先从较低的电压开始。

[引述 userid=“454523" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6040659

在充电、反向模式期间或 ADC 导通时、REGN 只能达到 5V。

更改该寄存器应该对 REGN 没有影响。 这仅控制 BATFET 和 ACFET 的驱动电压

[/报价]

如果我们为 DRV_SUP 提供外部电源、我们可以使用该寄存器来控制电压、对吗？

[引述 userid=“454523" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6040659

未连接电池时、IC 是否输出 54V？ 这可能是损坏的迹象。

充电启动然后快速停止可能会导致 REGN 电压下降过多 3.2V。

[/报价]

如果我们将 48V 连接到输入 (VAC)、我们将获得相同的 48V IN 输出 (VSYS)。 同时、如果我们测量 ACFET 栅极电压、其电压将为 54V。

如果在没有 VAC 的情况下连接 32V 电池、我们将在输出 (VSYS) 中获得相同的 32V 电压。 如果我们测量 BATFET 信号电压、则为 32V。

充电启动然后快速停止可能会导致 REGN 电压下降得太高。

我们将检查此行为并更新您。

这可能表明开关 FET 已损坏。 我建议使用万用表检查这些 FET。

是的、其中一个 MOSFET 显示存在短路。 但连接到栅极的串联电阻中应该有脉冲、对吧？

DRV_SUP 可能因为 REGN 变为低电平而指示故障。 只是为了确认、DRV_SUP 通过 0Ω 电阻器连接到 REGN、对吗？

是的、DRV_SUP 通过 0 Ω 电阻器连接到 REGN。 我计划通过从外部为 DRV_SUP 供电来进行测试。 很快就会更新您。

如果我们为 DRV_SUP 提供外部电源、我们可以使用该寄存器控制电压、正确吗？

DRV_SUP 的外部电源不会影响 ACDRV 或 BATDRV 的栅极驱动电压。

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6043251

如果我们将 48V 连接到输入 (VAC)、我们将获得相同的 48V IN 输出 (VSYS)。 同时、如果我们测量 ACFET 栅极电压、其电压将为 54V。

如果在没有 VAC 的情况下连接 32V 电池、我们将在输出 (VSYS) 中获得相同的 32V 电压。 如果我们测量 BATFET 信号电压、则为 32V。

[/报价]

如果 BATDRV 为 32V 且 VBAT=VSYS、则可能表示 FET 已损坏。 我建议更换 FET 并更换 iC、以便获得良好的测量效果。 我还将检查 SRN/SRP 电阻器、并确保这些电阻器为 10 Ω。

是的、其中一个 MOSFET 显示短路。 但是、连接到栅极的串联电阻中应该有脉冲、对吗？

是的、如果电池电压高于 30V 并且您安装了 BATFET、则需要在 BATDRV 和 BATSRC 之间连接一个 RC 滤波器。 这将减慢导通速度并降低损坏风险。 如果您想保留 BATFET、我建议从 10 Ω 和 10nF 开始。 我建议移除 BATFET、并仅使用自动反向模式在 VAC 未通电时为系统供电。

是的、DRV_SUP 通过 0 Ω 电阻连接到 REGN。 我计划通过从外部为 DRV_SUP 供电来进行测试。 将很快更新您。

明白。 确保从 REGN 断开 DRV_SUP、并且确保不为 REGN 供电。

此致、
Ethan Galloway

嘿、Ethen、

再次感谢您的指导。

到目前为止、我们已经用新的 IC 取代了。 还更换了显示短路的 FET。

我们 为 48V 输入所做的充电配置如下：

输入 电源配置

1. 通过硬件方法将 VACOV_Target 设置为 56V。

2.通过硬件方法将 VACUV_Target 设置为 43.75v

3.通过将 ILIM_HIZ 引脚设置为 48A 的输入电流。

4.下拉 CE 引脚

5. EN_CHG 位设为高电平

6.禁用 TS 引脚  

7. DRV_SUP 引脚 由外部 5V 电源供电。

充电部分配置：

FB 引脚设置为 53.25V（充电电压基准）

2. ICHG 引脚设置为 4A

内部寄存器修改 (SW)

1. EN_CHG 引脚->已启用

2. EN_PRECHG（预充电）->禁用

3. EN_TERM（终止电流）->禁用

4. FORCEBATFET_OFF ->已启用

 结果

1.充电指示 LED 亮起

2.充电状态 1 寄存器显示在 CC 模式下充电

3. FAULT_STATUS 寄存器显示 无故障。

观察结果  

1.无论这些有希望的结果如何,充电没有发生,我测量到电池的电流,它是零。

2.检查降压侧和升压侧 FET 中的脉冲、没有脉冲、所有栅极均为 0V、降压    侧的 LODRIV FET 除外、该 FET 始终为 5V。

3、这个问题仍然存在。

[报价 userid=“668002" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1557333/bq25750-sys-output-hiccupping-rises-toward-48-v-then-collapses-to-4-v-no-charging-from-adapter-or-battery/6043251

如果我们将 48V 连接到输入 (VAC)、我们将获得相同的 48V IN 输出 (VSYS)。 同时、如果我们测量 ACFET 栅极电压、其电压将为 54V。

如果在没有 VAC 的情况下连接 32V 电池、我们将在输出 (VSYS) 中获得相同的 32V 电压。 如果我们测量 BATFET 信号电压、则为 32V。

[/报价]

请告诉我您的想法。

1.即使显示充电模式后,电池没有充电,也没有降压升压活动。

2.在 AUTO_REV_MODE 中,如果电源良好,电池将自动充电。

下面、我粘贴了一些寄存器读回的串行输出

 

=========================0x21_Charger_Status_1=================================

readByte at 0x21 success, value: 0x3
0x21_Charger_Status_1 0b11




==========================0x21_Charger_Status_1 ===summary====================




11
==========CHARGE_STAT===========
000b = Not charging 
01b = Trickle Charge (VBAT 010b = Pre-Charge (VBAT 011b = Fast Charge (CC mode)
100b = Taper Charge (CV mode)
101b = Reserved
110b = Top-off Timer Charge
111b = Charge Termination Done






=========================0x22_Charger_Status_2=================================

readByte at 0x22 success, value: 0x80
0x22_Charger_Status_2 0b10000000




==========================0x22_Charger_Status 2 ===summary====================




0
==========MPPT_STAT===========
00b = MPPT Disabled
01b = MPPT Enabled, But Not Running
10b = Full Panel Sweep In Progress
11b = Max Power Voltage Detected






0
==========TS_STAT===========
000b = Normal
001b = TS Warm
010b = TS Cool
011b = TS Cold
100b = TS Hot






1
==========PG_STAT===========
0b = Not Power Good
1b = Power Good






=========================0x23_Charger_Status_3=================================

readByte at 0x23 success, value: 0x2
0x23_Charger_Status_1 0b10




==========================0x23_Charger_Status_3 ===summary====================




BATFET_STAT -> BATFET off
ACFET_STAT -> ACFET on
REVERSE_STAT -> Reverse Mode Off
CV_TMR_STAT -> Normal
==========FSW_SYNC_STAT===========
0


00b = Normal, no external clock detected
1b = Valid ext. clock detected
10b = Pin fault (frequency out-of-range)
11b = Reserved







Rec: Fault_Status Register

readByte at 0x24 success, value: 0x0
Fault_Status Register (0x24) : 0b0




=========================0x24_Fault_Status Register=================================

readByte at 0x24 success, value: 0x0
0x24_Fault_Status 0b0




==========================0x24_Fault_Status ===summary====================




RESERVED -> RESERVED 
DRV_OKZ_STAT -> Normal
CHG_TMR_STAT -> Normal
TSHUT_STAT -> Normal
VBAT_OV_STAT -> Normal
IBAT_OCP_STAT -> Battery current normal
VAC_OV_STAT -> Input Normal
VAC_UV_STAT -> Input Normal

此致、

Savith  

您好 Sabith、

感谢您的研究。  

1.这个线程变得很长。 您能分享您对原理图所做的更新吗？ 我只是想确保没有遗漏任何内容。

2.是的,自动反向模式会自动开始充电电池时,有良好的电源.

此致、
Ethan Galloway

您好 Sabith、

谢谢。 可以看到这个。 您能否压缩寄存器配置并读回 txt 文件？ 我只需要查看每个寄存器报告的内容。

此外、您是否已经使用 EV2400 或 USB2ANY 对其进行了调试？ 您不需要这样做、但它可能会使调试变得稍微简单一些。

另外、您能给我发送您的布局吗？ 我只想确保没有可能导致这种情况的布局问题。 如果您想查看布局、可以通过 E2E 向我发送布局信息。

此致、
Ethan Galloway

尊敬的 Ethen：

感谢大家的研究、

您能否压缩寄存器配置并读回 txt 文件？ 我只需要查看每个寄存器报告的内容。

大多数配置都是通过使用电阻器进行编程来完成的。

在使用 I2C 总线时、我将禁用 WD 计时器、从而启用充电、自动修订模式、并强制 BATFET 关闭。

除此之外、我将读取充电状态 1、充电状态 2、充电状态 3、故障状态寄存器、然后读取所有标志（这是没有用途的原因）、这将在每次读取后复位。 我会很快分享有关寄存器的所有详细信息。

此外、您是否使用 EV2400 或 USB2ANY 对其进行了调试？ 您不需要这样做、但它可能会使调试变得更简单一些。

目前对于调试、我使用 esp32 来获取 i2c 数据

您可以将您的布局发送给我吗？

关于布局、让我与我的团队核实、我将分享。

到目前为止、我尝试了 AUTO_REV_MODE、EN_CHG 引脚、并尝试打开 REV 模式、连接电池、 然后提供 48V 电压。

1. ACFET 启用、充电指示和状态更新（尽管 IBAT_ADC 显示 0mA）

2.关闭电源,当 VSYS 降至低于 VBAT 时,启用 REV 模式。  

3.但连接负载后、BATFET 启用、修订模式被禁用。

4.我强制尝试通过 I2C 总线开启 REV 模式,最终在 BATFET 以高频率开启和关闭的情况下。 还会发出一种动人的声音。 这是我捕获到的信号脉冲。

此致

Savith

您好 Sabith、

感谢您对此有耐心。 我现在就被淹没了。 我会仔细研究一下、然后在一周结束前回到您的位置。

此致、
Ethan Galloway

您好 Sabith、

要读取寄存器、只需在行为发生之前和之后读取寄存器。 该方法是否允许您读取标志寄存器？

如果您将 ESP32 连接到移除 BATFET 的 BQ25750EVM、您是否看到相同的行为？

我强制尝试通过 I2C 总线开启 REV 模式、然后在 BATFET 以高频率开启和关闭的情况下结束。 还会发出一种动人的声音。 我已捕获信号脉冲。

我想您移除了这里的 BATFET？ 您指的是 BATDRV 信号吗？

此致、
Ethan Galloway

您好、Ethan、

感谢您的宝贵反馈。

若要读取寄存器、只需在行为发生之前和之后读取寄存器。 此方法是否允许您读取标志寄存器？

是的、我可以读取所有寄存器。 我实际上在其他状态寄存器上中继了更多内容、例如 CHARGE_STAT 1、2、3、FAULT_STATUS、ets、 因为标志寄存器在读取后将变为低电平。 我以 3 秒的延迟持续监控这些寄存器。  

如果您将 ESP32 连接到已移除 BATFET 的 BQ25750EVM、您是否会看到相同的行为？

我会试着让你知道。

我认为您在此处删除了 BATFET？ 您指的是 BATDRV 信号吗？

我一开始被移除,但在测试之前,我用一个新的替换了它。

到目前为止、我尝试了主机模式设置、以查看是否存在寄存器编程问题、除了 ACUV 之外、所有其他配置都在寄存器上设置为相同的 48V 配置。

1. ILIM_HIZ 引脚被禁用并接地

2. IAC_DPM 设置为 14.5  

3. ICHG 引脚禁用并接地

4.使用 4A 更新了 ICHG_REG

5. VSYS_REV 设置为 48

6. IAC_REV 设置为 1A

相同的结果。 但在 Status Registers 中、它将显示 Charging in CC mode 或 REV Mode enabled。 但降压升压器没有输出。

在数据表中、它会在启动降压升压器之前切换 SW1 或 SW2 节点约 40ms、因此可以考虑进行检查、但没有看到任何脉冲。 此行为是否表示有任何故障？  到目前为止、Im 更加专注于降压/升压电路。 此信息将更新您。

此致、

Savith

您好、Savith、

感谢您提供新信息。 看一下这个和您的布局。 我会在一周结束前回复您。

此外、您可能还需要在 10s 延迟后读取寄存器。 最好看一下这里的标志寄存器发生了变化。

此致、
Ethan Galloway

您好、Savith、

感谢您耐心等待延迟。

以下是我对原理图的建议（如果尚未实现）：

• 短接开关晶体管的栅极驱动电阻器
  
  
• 安装一个与 ICHG 电阻器并联的 RC 滤波器。 当 ICHG 或 ILIM_HIZ 电阻器大于 5k 时、我们建议这样做

以下是我对布局的建议：

• 栅极驱动布线需要 20mil 或更厚。
• 在 SW 旁布线 HIDRV。 SW 是 HIDRV 的返回布线。 请勿在 SW 或 HIDRV 旁边布线 LODRV。 LODRV 的返回布线为 GND。
  
  
• 您的 PCB 是 2 层还是 4 层？ 如果是 2 层、我想您会遇到 GND 平面问题。 以下是对于 2 层 PCB 的建议：
  • 尝试在电路板顶部布置更多布线。 使底层的 GND 平面尽可能大。
    
    
  • 我认为您需要在 IC 散热焊盘中使用过孔来增加接地和热连接。

GND 连接和较细的栅极驱动布线可能会导致您看到的行为。 对于您的软件、您是否在移除 BATFET 的情况下在 BQ25750EVM 上测试了软件？

此致、
Ethan Galloway