[参考译文] TPS25924：BFET

尊敬的 Arush-san：

请告诉我以下灌电流（放电）电流的值。

此致、
Ishiwata

尊敬的 Ishiwata-San：

受电路径没有以恒定速率放电的有源元件。 26 Ω 放电电阻+任何栅极电阻将负责放电电流。

内部路径的典型电阻为 26 Ω。

此致、
Arush

尊敬的 Arush-san：

感谢您的答复。

当 OUT 电压为 5V 时、BFET 电压为+6.4V、因此我们可以看到、在反向电流保护功能激活时流经 BFET 的电流约为 0.43A。 这是正确的吗？

此致、
Ishiwata

尊敬的 Arush-san：

我会整理我的想法并再次提出问题。
我想确认我对以下当前路径的理解。

(1) 激活反向电流预防功能后、将 VOUT +电荷泵电压除以 22Ω 导通电阻的电流将立即流动。 我是否正确理解了这一点？

(2) 当反向电流预防功能激活时、BFET 端子变为低电平。
没有电流流过 BFET 端子。 我是否正确理解了这一点？

此致、
Ishiwata

尊敬的 Ishiwata-San：

在此器件中、当器件关断（即 EN 变为低电平或 VIN 变为低电平）时、存在 RCP。 外部 FET 栅极连接到 BFET 引脚。 当 BFET 变为低电平时、外部 FET 关断、体二极管防止任何反向电流从 OUT 流向 IN。  

) 激活反向电流预防功能后、一个将 VOUT +电荷泵电压除以 22Ω 导通电阻的电流将立即流动。 我是否正确理解？

是的、当器件关断时、外部 FET 的栅极将快速放电。

(2) 当反向电流预防功能激活时、BFET 端子变为低电平。
没有电流流过 BFET 端子。 我是否正确理解？

是、在 BFET 端子变为低电平后、没有电流流过该引脚。 当器件也开始导通时、它将开始斜升。

此致、
Arush

尊敬的 Arush-san：

感谢您的回答。

当 EN 变为低电平且阻止反向电流时、我对电流路径的理解是否正确？

此致、
Ishiwata

尊敬的 Ishiwata-San：

否、电流从 NFET 漏极流向 NFET 栅极不会有任何路径。 当 EN 为低电平或 VIN 为低电平时、反向电流根本不会流动。

此致、
Arush

尊敬的 Arush-san：

感谢您的回答。
我知道没有电流流入 BFET 端子。

我知道没有电流流入 BFET 端子、但是否有任何可以作为器件流入 BFET 端子的最大电流规格？

此致、
Ishiwata

尊敬的 Ishiwata-San：

放电路径可以处理的最大电流应约为几百 mAs。 数据表中未给出此值、因为在实际应用中、我们不会有这么大的连续电流流动。 该限值主要取决于放电路径 FET 能力、为了获得确切的值、我们必须与设计团队进行检查。  

请问客户具体遇到了什么问题。

此致、
Arush

尊敬的 Arush-san：

感谢您的答复。

我知道您所指的放电路径是下面的红色箭头、正确吗？

此致、

尊敬的 Ishiwata-San：

我认为这张图片会更好地解释这一点。

此致、
Arush

尊敬的 Arush-san：

感谢您的支持。

我知道在放电期间、栅极电压 (Vin + 6.4V) 和电阻 (26Ω) 的电流流经 BFET。

此致、
Ishiwata

尊敬的 Arush-san：

我的客户想通过一个电阻器将 BFET 连接到 OUT 端子、以便在 EN/UVLO 端子变为低电平时释放 OUT 端子处的充电。

是否可以通过这种方式连接 BFET 端子？

此致、
Ishiwata

尊敬的 Arush-san：

我再想想。
如果 OUT 和 BFET 与电阻器连接、BFET 端子将输出 VIN+电荷泵电压、那么我认为不允许进行此连接、但我的理解正确吗？

此致、
Ishiwata

大家好！

我一直在等待你的答复,但没有听到你。
您能给我们一个答复吗？

此致、
Ishiwata