Thread 中讨论的其他器件:LP2981-N、
工具/软件:
我们正在 为需要预调节的新项目测试生产日期代码为 2151 的某些器件 (LP2981AIM5-5.0/NOPB)。 我们注意到 Vout 存在问题(下面 4 个器件中的测试 1 (1.0、1.1) 在 Vout 读取失败时列为“F"。“。 我们先在 150°C 的最高存储温度对部件进行了无偏压预处理。 我们注意到故障发生在 20mV 范围内、总结如下。 最高存储温度下的非偏压温度循环是否会导致这种情况? 您会推荐哪种无偏压温度循环?
注 1:“测试 25 = 25 摄氏度“
注 2:根据数据表中的限值在 1.0 和 1.1 处失效。
注 3:所有其他测试均通过
器件 1 失败
测试 25
25.0 25 DGR @@@@@@@@@@Ω 测试温度@@@@@@@@@@
测试 1
1.0f 4.95005V VOUT @VIN=6V、IL = 1mA [4.9625 至 5.0375V]
1.1nF 4.92539V VOUT @VIN=6V、IL = 100mA [4.95V]
测试 2.
2.0 0.0080% VRLINE @VIN=6V 至 16V [0.014 至 0.014%]
测试 3.
3.0 2.0 mV VDROPOUT @IL = 0mA [3mV MAX]
3.1 6.1mV VDROPOUT @IL = 1mA [10mV MAX]
3.2 65mV VDROPOUT @IL = 25mA [100mV MAX]
3.3 194mV VDROPOUT @IL = 100mA [250mV 最大值]
测试 4.
4.0 53.92 UA IGND @IL = 0mA [95UA 最大值]
4.1 66.54 UA IGND @IL = 1mA [110UA MAX]
4.2 178.88 UA IGND @IL = 25mA [300UA MAX]
4.3 515.47 UA IGND @IL = 100mA [800UA MAX]
测试 5.
5.0 –0.005 UA 离子/关@von/off = 0V [–1uA 最小值]
5.1 3.974 UA 离子/ OFF @VON/OFF = 5V [15UA MAX]
测试 6.
6.0 366MA IO (PK)@VOUT >= VO (NOM)–5%[150mA 最小值]
设备 3 失败
测试 25
25.0 25 DGR @@@@@@@@@@Ω 测试温度@@@@@@@@@@
测试 1
1.0f 4.95253V VOUT @VIN=6V、IL = 1mA [4.9625 至 5.0375V]
1.1f 4.93171V VOUT @VIN=6V、IL = 100mA [4.95V]至 5.05V]
测试 2.
2.0 0.0103 % VRLINE @VIN=6V 至 16V [0.014 至 0.014%]
测试 3.
3.0 1.7 mV VDROPOUT @IL = 0mA [3mV MAX]
3.1 7.1mV VDROPOUT @IL = 1mA [10mV MAX]
3.2 70mV VDROPOUT @IL = 25mA [100mV MAX]
3.3 201 mV VDROPOUT @IL = 100mA [250mV MAX]
测试 4.
4.0 54.18 UA IGND @IL = 0mA [95UA 最大值]
4.1 67.63 UA IGND @IL = 1mA [110UA MAX]
4.2 199.61 UA IGND @IL = 25mA [300UA MAX]
4.3 600.81 UA IGND @IL = 100mA [800UA MAX]
测试 5.
5.0 –0.006 UA 离子/关@von/off = 0V [–1uA 最小值]
5.1 4.187 UA 离子/关@von/off=5V [15UA MAX]
测试 6.
6.0 327MA IO (PK)@VOUT >= VO (NOM)–5%[150mA 最小值]
设备 5 失败
测试 25
25.0 25 DGR @@@@@@@@@@Ω 测试温度@@@@@@@@@@
测试 1
1.0f 4.95903V VOUT @VIN=6V、IL = 1mA [4.9625 至 5.0375V]
1.1nF 4.94371V VOUT @VIN=6V、IL = 100mA [4.95V]
测试 2.
2.0 0.0057% VRLINE @VIN=6V 至 16V [0.014 至 0.014%]
测试 3.
3.0 2.0 mV VDROPOUT @IL = 0mA [3mV MAX]
3.1 6.6mV VDROPOUT @IL = 1mA [10mV MAX]
3.2 66 mV VDROPOUT @IL = 25mA [100mV MAX]
3.3 192mV VDROPOUT @IL = 100mA [250mV 最大值]
测试 4.
4.0 54.80 UA IGND @IL = 0mA [95UA 最大值]
4.1 66.91 UA IGND @IL = 1mA [110UA MAX]
4.2 176.23 UA IGND @IL = 25mA [300UA MAX]
4.3 511.45 UA IGND @IL = 100mA [800UA MAX]
测试 5.
5.0 –0.006 UA 离子/关@von/off = 0V [–1uA 最小值]
5.1 4.214 UA 离子/关闭@VON/OFF=5V [15UA MAX]
测试 6.
6.0 371MA IO (PK)@VOUT >= VO (NOM)–5%[150mA 最小值]
设备 12 失败
测试 25
25.0 25 DGR @@@@@@@@@@Ω 测试温度@@@@@@@@@@
测试 1
1.0 4.96680V VOUT @VIN=6V、IL = 1mA [4.9625 至 5.0375V]
1.1nF 4.94981V VOUT @VIN=6V、IL = 100mA [4.95V]
测试 2.
2.0 0.0064% VRLINE @VIN=6V 至 16V [0.014 至 0.014%]
测试 3.
3.0mv –0.0mv VDROPOUT @IL = 0mA [3mv MAX]
3.1 6.5mV VDROPOUT @IL = 1mA [10mV MAX]
3.2 67 mV VDROPOUT @IL = 25mA [100mV MAX]
3.3 196mV VDROPOUT @IL = 100mA [250mV MAX]
测试 4.
4.0 54.93 UA IGND @IL = 0mA [95UA 最大值]
4.1 67.44 UA IGND @IL = 1mA [110UA MAX]
4.2 187.99 UA IGND @IL = 25mA [300UA MAX]
4.3 561.63 UA IGND @IL = 100mA [800UA MAX]
测试 5.
5.0 –0.006 UA 离子/关@von/off = 0V [–1uA 最小值]
5.1 4.144 UA 离子/关@VON/OFF = 5V [15UA MAX]
测试 6.
6.0 349MA IO (PK)@VOUT >= VO (NOM)–5%[150mA 最小值]













