[参考译文] TPS552882-Q1：TPS552882-Q1：输出电压为 3.3V 和 5V 时电感器过热

您好、

请显示原理图、并通过计算工具检查您的设计。  SLVRBF9 计算工具|德州仪器 TI.com 谢谢。

所有元件计算都是根据德州仪器 (TI) 支持提供的工具执行的、但 IC 和 MOSFET 仍然过热并会损坏。 请建议您采取进一步措施来解决此问题。

您好、

请在此处分享原理图。 您能详细描述一下您的问题吗？

即使在未连接任何负载的情况下、MOSFET、IC 和电感器也会开始升温。 请帮助解决此问题

您好、

我看到您使用 50k fsw 电阻器、因此 fsw 为 400kHz。 那么电感器应至少为 4.7uH。 请参阅数据表中的以下部分。

然后将补偿值更改为 Rcomp=33k、Ccomp=10nF、CHF=1nF 作为起点。

请在不更改电感器的情况下、通过确定需要更换的元件及其新值来帮助我处理这三个电路。

您好、

如果选择 400kHz fsw、则电感器需要至少为 4.7uH。

对于 12V 电路、将 C42=10nF、R25=33k、C3=1nF。 其他电路也发生同样的变化。

好的、谢谢。先生、我将在更换部件后分享结果。

好的

我根据您的建议对电路进行了测试、并更换了部件。 当我用 UPS (BQ24610、3S) 为其供电时、工作正常。 但是、当我通过适配器提供 19V 电压时、电路会导致问题并且 MOSFET 会损坏。 建议我下一个

 优先级

尊敬的 Kamlesh：

专家本周太糟糕了、请预计回复会延迟。 谢谢。

BRS、

布莱斯

好的、将等待郑诗鹏先生的答复

您好、

MOSFET 附近应该有一个 100nF 陶瓷电容器。 否则 MOSFET 上的尖峰较高、并可能损坏 30V MOSFET。

好的、感谢回复 高侧或低侧 MOSFET 以及需要放置哪些引脚的电容器

100nF 电容器应放置在高侧 FET 漏极和低侧 FET 源极之间、也就是 VIN 到 GND。 但它应尽可能靠近 MOSFET 放置。