工具/软件:
您好的团队、
您可以检查一下原理图吗? 谢谢
e2e.ti.com/.../1512.Schematic-Prints.pdf
VIN 50V
Io = 50A
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工具/软件:
您好的团队、
您可以检查一下原理图吗? 谢谢
e2e.ti.com/.../1512.Schematic-Prints.pdf
VIN 50V
Io = 50A
尊敬的 Jimmy:
原理图看起来很棒! 请参阅以下建议:
-到现在为止 CBST 太小了。 请使用最大总栅极电荷(最坏情况)进行计算(所有 FET +预充电 FET)。 足够大的 BST 电容器大小对于正常运行至关重要。
-建议将 48V 网络放置在 TVS 二极管之前、以实现瞬态保护。
-根据输出电容、请考虑在 FET 的栅极上添加额外的压摆率控制。 如果您选择在栅极上添加额外的电容、则必须重新计算 CBST 电容器、以确保其足够大、能够支持所有 FET、并支持用于浪涌控制的额外容性负载。
-对于输入和输出端的二极管 — 请确保在考虑系统将遇到的任何电压瞬变和/或负电压的情况下正确选择相应的值。
- RC 滤波器应放置在靠近 VS 引脚的位置、以滤除噪声(如果存在这种问题)。
-如果您有 EMI 问题,请将铁氧体磁珠连接到 CS+和 CS-引脚。
-请确保使用 TPS4811-Q1 计算器来验证您的组件值。
-请同时使用 TPS4811-Q1 FET SOA 计算器来验证您的 FET 选择是否有效。
FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com
谢谢、
Rishika Patel
尊敬的 Rishika:
供参考
e2e.ti.com/.../0777.INRUSH_5F00_FET_5F00_SOA-Margin-Calculator.XLSX