• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 11 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 4 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS4811-Q1：查看原理图

admin
Guru**** 2578945 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS4811-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1563946/tps4811-q1-review-schematic

器件型号：TPS4811-Q1


工具/软件：

您好的团队、

您可以检查一下原理图吗？  谢谢

 e2e.ti.com/.../1512.Schematic-Prints.pdf

VIN 50V

Io = 50A

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jimmy：

    我正在做这件事,我会回来给你。

    谢谢、

    Rishika Patel  

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jimmy：

    原理图看起来很棒！ 请参阅以下建议：

    -到现在为止 CBST 太小了。 请使用最大总栅极电荷（最坏情况）进行计算（所有 FET +预充电 FET）。 足够大的 BST 电容器大小对于正常运行至关重要。  

    -建议将 48V 网络放置在 TVS 二极管之前、以实现瞬态保护。

    -根据输出电容、请考虑在 FET 的栅极上添加额外的压摆率控制。 如果您选择在栅极上添加额外的电容、则必须重新计算 CBST 电容器、以确保其足够大、能够支持所有 FET、并支持用于浪涌控制的额外容性负载。

    -对于输入和输出端的二极管 — 请确保在考虑系统将遇到的任何电压瞬变和/或负电压的情况下正确选择相应的值。

    - RC 滤波器应放置在靠近 VS 引脚的位置、以滤除噪声（如果存在这种问题）。

    -如果您有 EMI 问题,请将铁氧体磁珠连接到 CS+和 CS-引脚。

    -请确保使用 TPS4811-Q1 计算器来验证您的组件值。

    SLURB09 计算工具|德州仪器 TI.com

    -请同时使用 TPS4811-Q1 FET SOA 计算器来验证您的 FET 选择是否有效。

    FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com

    谢谢、

    Rishika Patel  

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好的团队、

    我使用该工具计算 MOS 的 SOA。 但结果是失败。

    我还根据 EVM 条件检查了 EVM FET 的 SOA、但仍然失败。

    您能再检查一下吗？ 如果你的结果是好的,请发送给我。 谢谢  

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Rishika：

    现在 CBST 值为 1uF。 这还不够吗？

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jimmy：

    FET 的总栅极电荷为 339nC（最大值）x 4 个主 FET = 1356 +3.8nC 预充电 FET = 1359.8nF。 CBST 需要至少为 1.3598uF。

    谢谢、

    Rishika Patel  

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好的团队、

    EVM 用器件的 SOA 如何？

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jimmy：

    您能否发送包含您为您的系统输入的值的文件？

    谢谢、

    Rishika Patel  

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Rishika：

    供参考

    e2e.ti.com/.../0777.INRUSH_5F00_FET_5F00_SOA-Margin-Calculator.XLSX

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jimmy：

    我正在与内部团队核实、我将返回给您。

    谢谢、

    Rishika Patel  

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jimmy：  

    可以通过增大电容来固定浪涌电流、但启动期间的 SOA 裕度似乎是 FET 问题。 FET 可能不符合系统的额定值。 对于我们的 EVM FET、您能否发送发现失败的 Excel 文件/条件？

    谢谢、

    Rishika Patel  

  • 0
    TI__Guru**** 2578945 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好的团队、

    您可在网络上找到数据表并填写 Excel 文件。

    我只是临时计算而不保存。