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[参考译文] BQ25731:20V 升压转换器中高侧 MOSFET 的栅源电压 (Vgs) 问题

Guru**** 2582405 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25731, CSD17579Q5A

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1575800/bq25731-gate-source-voltage-vgs-concern-for-high-side-mosfet-in-20v-boost-converter

器件型号:BQ25731
主题: CSD17579Q5A 中讨论的其他器件

工具/软件:

TI 团队大家好!

在我的电路中、我使用 BQ25731 IC 来转换 A 的电压

4 节电池(范围为 10V 至 16.8V)至 20V(原理图的一部分如图所示)。

我使用 N 沟道 MOSFET CSD17579Q5A 作为电源开关。

其允许的最大 Vgs 为±20V。 晶体管 VT23、VT24 和 VT25 不受威胁

VGS 过压、但晶体管 VT26 似乎一直在限值下运行。

在这种情况下、我是否可以在 20 伏电路中使用这种晶体管?

如果是、我是否需要对 VT26 的栅源结实施任何保护?

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    您好、  

    VT26 VGS 约为 6V、与栅极驱动电压 REGN 相同。 我没有看到任何违反规范的情况。  

    此致、

    Tiger

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    驱动器会持续保持安全电位差 Vgs 吗? 
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    您好 Suslik、

    感谢您的耐心,Tiger  今天已经下班了,但明天会回来帮助回答您的问题。

    此致

    基督教。

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    没错、即使高侧 FET 进行开关、最大 VGS 也能保持恒定的 6V。