主题中讨论的其他器件:LSF-EVM
工具/软件:
观看了 LSF 系列视频“使用 LSF 系列进行下行转换“后
在 2'30,它是说:
“如果流入接收器的漏电流小于 1 微安、也可以移除电阻器 RA1。“
我不明白为什么当出现明显泄漏甚至大泄漏时、我们无法移除上拉电阻器。
我的基本推理是 MOSFET 是双向的、因此可以交换漏极和源极。 如果、由于 A 侧的漏电流(并且没有上拉 RA1)、电压会降低、MOSFET 将导通、源极位于 A 侧、漏极位于 B 侧。 因此、即使有明显的漏电、一侧的电压也不会相互竞争、即使存在显著的漏电流、也不需要 RA1。
我在 LSF-EVM 上进行测试、VrefB=5V、VrefA=3.30V、B 侧为 1 电平 (5V)、A 侧无上拉
如果我使用万用表 Fluke 87V(10M Ω 阻抗)测量输出 A、则测得的电压为 3.49V... 因此略高于预期的 3.3V。
如果我把一个 10kohms 下拉在一侧,创造一个 330uA !! 漏电流、I 测量值为 3.19V、该值仍然很好 1 级。
如果我在一侧放置一个 10k Ω 的上拉电阻器(并且没有下拉电阻器,没有漏电流)、则测量到 3.37V、略高于 3.3V
因此、B 侧与 A 侧之间存在一个漏电流、该漏电流会因上拉或下拉而衰减。 (与我们在 VrefA 引脚上看到的漏电流相同)
最后、我认为在有一些泄漏时保留上拉电阻器并在没有泄漏时将其移除的建议与应该做的事情相反、不是吗? :-)
我可能会将建议更改为“如果进入接收器的漏电流 小于 1 微安、则保持 RA1 电阻器或添加下拉电阻器以增加漏电流。“ 这样、A 侧的电压不会对 VrefA 产生太大影响。 上述情况中理想的是 100kohms 下拉电阻。
我是对的吗?
