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[参考译文] LSF0108:在进行下行转换时、在输出端保留焊盘时、确实需要使用上拉电阻

Guru**** 2584455 points
Other Parts Discussed in Thread: LSF-EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1575238/lsf0108-is-a-pull-up-really-necessary-when-down-translating-with-leakeage-at-output

部件号:LSF0108
主题中讨论的其他器件:LSF-EVM

工具/软件:

观看了 LSF 系列视频“使用 LSF 系列进行下行转换“后

https://www.ti.com/video/series/understanding-the-lsf-family-of-bidirectional--multi-voltage-lev.html

在 2'30,它是说:

“如果流入接收器的漏电流小于 1 微安、也可以移除电阻器 RA1。“

我不明白为什么当出现明显泄漏甚至大泄漏时、我们无法移除上拉电阻器。  

我的基本推理是 MOSFET 是双向的、因此可以交换漏极和源极。 如果、由于 A 侧的漏电流(并且没有上拉 RA1)、电压会降低、MOSFET 将导通、源极位于 A 侧、漏极位于 B 侧。 因此、即使有明显的漏电、一侧的电压也不会相互竞争、即使存在显著的漏电流、也不需要 RA1。  

我在 LSF-EVM 上进行测试、VrefB=5V、VrefA=3.30V、B 侧为 1 电平 (5V)、A 侧无上拉

如果我使用万用表 Fluke 87V(10M Ω 阻抗)测量输出 A、则测得的电压为 3.49V... 因此略高于预期的 3.3V。  

如果我把一个 10kohms 下拉在一侧,创造一个 330uA !! 漏电流、I 测量值为 3.19V、该值仍然很好 1 级。

如果我在一侧放置一个 10k Ω 的上拉电阻器(并且没有下拉电阻器,没有漏电流)、则测量到 3.37V、略高于 3.3V

因此、B 侧与 A 侧之间存在一个漏电流、该漏电流会因上拉或下拉而衰减。 (与我们在 VrefA 引脚上看到的漏电流相同)

最后、我认为在有一些泄漏时保留上拉电阻器并在没有泄漏时将其移除的建议与应该做的事情相反、不是吗? :-)

我可能会将建议更改为“如果进入接收器的漏电流 小于 1 微安、则保持 RA1 电阻器或添加下拉电阻器以增加漏电流。“ 这样、A 侧的电压不会对 VrefA 产生太大影响。 上述情况中理想的是 100kohms 下拉电阻。

我是对的吗?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Michel、

    我正在处理一个回应。 我很快就会回复您。  

    此致、

    Tyler

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    您好 Michel、

    [报价 userid=“4739" url="“ url="~“~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1575238/lsf0108-is-a-pull-up-really-necessary-when-down-translating-with-leakeage-at-output “]我在 RLSF-EVM 上进行测试、VrefB=5V、VrefA=3.30V、B 侧为 1 电平 (5V)、A 侧无上拉

    我假设您具有与视频类似的 LSF-EVM 设置、其中 B1 被驱动器拉高。

    VREFB = 5V

    VREFA = 3.3V

    电平转换模式下的 LSF-EVM 设置、在该模式下、EN 和 VREFB 通过 200k 电阻短接。  

    A 侧没有上拉电阻器。  

    如果 EVM 设置为电平转换模式、则 VBias = VREFA + VTH = 3.30V + 0.6V =~3.9V  

    因此、只要 A 侧的漏电流最小、A 侧电压就为~ 3.30V。 这是因为当 A1 处的电压> 3.3V 时通道 FET 开始关断、这是合理的、因为通道 FET 的栅极电压为 VBias =~3.9V。VTH > VGS、并且 FET 开始关断。 这是典型的降压转换示例。  

    在 A 侧添加 PU 电阻应使 A 侧的电压更接近 VA = 3.3V 电源。  

    在 A 侧添加 PU 下拉电阻器应该会降低 A 侧的电压、但不会降低太多、因为 B 侧的推挽驱动器能够提供大量电流。  

    在 B1 发送器为开漏类型的情况下、PU 电阻器 RA1 看起来尤为重要 — 只能驱动低电平,并且必须在 B 侧使用 PU 电阻器来达到 VB = 5V。如果接收器中存在明显的漏电流、B1 上的弱 PU 电阻器、则我怀疑 A1 上的电压可能会下降到接收器 VIH 之外的电平。  

    如果我正在回答您的问题、或者完全遗漏了问题、请告诉我。 我可能会向该视频的制作者请教、帮助他在创建 LSF 向下转换图时解释他的思考过程。  

    此致、

    Tyler

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    尊敬的 Tyler:

    感谢您的解释。

    我的问题与视频中的 TI 说明相关。  

    我不明白为什么会说“如果进入接收器的漏电流小于 1 微安、也可以移除电阻器 RA1。“ 约 2'30。

    您能解释一下为什么泄漏在这种情况下很重要吗? 因为它似乎不符合现实,你似乎确认了我写的衡量和理论?

    可能应该从这个视频序列中删除泄漏情况、因为它会在我(也可能对其他人)中触发一些混淆。 所有的 8 个!!! 视频清楚地为我介绍了 LSF 转换器、但这个序列除外...

    有时、只有一个问题可能会使整个人产生怀疑。 我有没有想念?

    我为什么购买 LSF-EVM 来进行测试并确认它的实际工作原理。  

    此致、

    Michel

     

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    您好 Michel、

    我很快就会回来的。  

    此致、

    Tyler

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    您好 Michel、

    视频中仅提及小于 1uA 的基本理解是、TI 无法根据 PVT(工艺,电压,温度范围)来保证每个条件。  由于 LSF 是一种基于晶体管的解决方案、因此该器件可能随 PVT 的变化而显著变化、因此我们必须保守我们在视频中介绍的当前指标。 虽然您可能认为这种不准确性、但从数据表的角度来看、我们认为这是一种安全防护措施。  

    此致、

    Tyler