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器件型号：TPSF12C3您好：
我目前正在撰写学士学位论文、评估用于在三相变频器系统中降低漏电流和 EMI 的 TPSF12C3 有源 EMI 滤波器 IC。
可用的 TI 参考设计和数据表示例展示了在两级 EMI 滤波器（两个共模扼流圈）中实现的器件。
在我的例子中、现有硬件仅使用单级 EMI 滤波器（一个 CM 扼流圈+ X 电容器）、无法更改滤波器拓扑。
我的问题：
–在这种单级配置中使用 TPSF12C3 是否可行或不建议？
–此用例是否有任何设计说明或内部建议？
–与标准的两阶段实施相比、预期应在性能或稳定性方面做出哪些权衡？
我已经查看了数据表 (SNVSCB8A) 和白皮书 (SLVAFJ9)、但两者都采用两级设计。 请提供任何指导。
此致、
Christofer Schmidt
