This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC21551:高电流 MOSFET 栅极驱动的最佳方法 — 单路高电流驱动器与并联驱动器与缓冲器级

Guru**** 2594610 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1579983/ucc21551-best-approach-for-high-current-mosfet-gate-driving---single-high-current-driver-vs-parallel-drivers-vs-buffer-stage

器件型号:UCC21551


大家好!

我正在设计一款大功率电机控制器、该控制器需要驱动多个具有高栅极电荷要求的并联 MOSFET。 我需要提高栅极驱动电流能力、我将评估三种方法:

  1. 使用单个高电流栅极驱动器 IC
  2. 并联多个栅 极驱动器 IC 和每个驱动器的单个栅极电阻器
  3. 使用标准栅极驱动器、后跟分立式图腾柱电流缓冲器(使用互补 BJT 或 MOSFET)

我的顾虑:

  • 单个高电流驱动器:在单个封装中实现有限的可用性、成本和热管理
  • 并联栅极驱动器:由于时序不匹配、电流共享不平衡而可能导致驱动器之间出现击穿
  • 图腾柱缓冲器:额外传播延迟、潜在振荡、复杂性

问题:

  1. 在工业/汽车应用中、哪种最可靠的高电流栅极驱动方法?
  2. 如果是并联栅极驱动器、哪些设计注意事项可以确保适当的电流共享并防止跨导?
  3. 最安全的方法是什么? 是否建议并联栅极驱动器?

此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Batuhan:

    感谢您向我们提出您的问题。

    如果设计得当、驱动并联 MOSFET 无疑是一种可行且可靠的方法。

    需要精心设计栅极驱动器环绕电路和布局、以避免潜在问题。

    请参阅此应用手册、了解如何成功并联功率 FET:

    此致、

    Hiroki