[参考译文] LM5148：LM5148 引脚 19 EN 被烧毁、引脚 14 SW 和引脚 10 GND 之间的电阻为 14.4 Ω、引脚 14 SW 和引脚 15 CBOOT 之间的电阻为 11.8 Ω

感谢您的问题。 我们的专家将会深入研究、并回复您 Shen

谢谢。此致

Naresh

原理图用于将 DC24V (DC18V-DC36V) 转换为 DC15V 2A。PCB 具有从第 1 层到第 6 层的接线。

LM5148 引脚 19 EN 被烧毁、引脚 14 SW 和引脚 10 GND 之间的电阻为 14.4 欧姆、引脚 14 SW 和引脚 15 CBOOT 之间的电阻为 11.8 欧姆、引脚 15 CBOOT 和引脚 10 GND 之间的电阻为 5 欧姆

LM5148 SW与GND 14.4R、CBOOT与SW 11.8R、CBOOT与GND 5R 波形相关测试如下所示：

有两个不明确的要点；请与产品线确认。 谢谢你。

1. 在正常工作期间、当下部晶体管 Q13 导通时、下部晶体管 DS 上的电压约为 8V。 是否存在直接传导的风险？  

图 1：通道 1 Q13_GS、通道 2 Q12_GS、通道 3 Q13_DS (SW)、负载为 0.3A

2. 由于 EN 连接到 VIN、因此当 VIN 电压达到约 16V 时（如图 2 所示）、在上部 MOSFET 关断和下部 MOSFET 导通之间存在 20ns 的死区时间、如图 3 所示。 在图 4 中、由于电感器电流为负值、上部 MOSFET 的二极管导通、并且下部 MOSFET 的 DS 电压不会下降。 20ns 后、较低的 MOSFET 的 GS 开启、将较低的 MOSFET 的 DS 拉至 0V、导致 DS 电压振荡、并且引脚 14 上出现负电压。 请帮助分析这种工作条件是否会导致 LM5148 的 SW 和 GND 之间短路。  

图 2：通道 1 Q13_GS、通道 2 Q13_DS、通道 3 C82 电压、通道 4 L9 电流。 负载电流 0.3A

图 3：通道 1 Q13_GS、通道 2 Q12_GS、通道 3 C82 电压、通道 4 110V 输入电流。 负载电流 0.3A

图 4：通道 1 Q13_GS、通道 2 Q13_DS、通道 3 C82 电压、通道 4 L9 电流。 负载电流 0.3A

通道 1 Q13_GS、通道 2 Q13_DS、通道 3 C82 电压、通道 4 L9 电流。 负载电流 0.3A

通道 1 Q13_GS、通道 2 Q13_DS、通道 3 C82 电压、通道 4 L9 电流。 负载电流 0.3A

通道 1 Q13_GS、通道 2 Q13_DS、通道 3 C82 电压、通道 4 L9 电流。 负载电流 0.3A

通道 1 Q13_GS、通道 2 Q13_DS、通道 3 C82 电压、通道 4 L9 电流。 负载电流 0.3A

通道 1 Q13_GS、通道 2 Q13_DS、通道 3 C82 电压、通道 4 L9 电流。 负载电流 0.3A

通道 1 Q13_GS、通道 2 Q13_DS、通道 3 C82 电压、通道 4 L9 电流。 负载电流 0.3A

这是故障芯片的照片。

你好 Guru：

如果您需要原始 PCB 文件、请向我发送您的电子邮件。 谢谢你。

谢谢你

您是否完成了快速入门计算器？  https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 

e2e.ti.com/.../LM5148_5F00_quickstart_5F00_calculator_5F00_A4_5F00_DC24V_2D00_DC15V-2A.xlsx

由于充电器的内部温度达到 70°C、因此使用了具有外部 MOS 解决方案的降压控制器。

220uF 输出电解电容器的 ESR 为 98mR

4 x 10uF 陶瓷电容器为 GRM31CR71E106K  

什么是电解电容器器件型号？ 它必须是聚合物而不是铝、才能在整个温度范围内提供稳定的 ESR。