[参考译文] LM5109A：驱动互补 (NMOS/PMOS) 功率 FET 对

尊敬的 Arttu：

我们不建议以这种方式使用任何非隔离式半桥栅极驱动器。 出于多种原因、这不是此驱动程序的预期用途。 首先、当处于欠压锁定状态时、两个栅极都将保持低电平、因此 PMOS 始终位于电缆的下侧、并始终被拉至–12V。  

此设置的主要问题是 MCU 和非隔离式驱动器需要在低侧具有相同的接地基准。

如果有此要求、我建议使用隔离式栅极驱动器。  

我将把这一主题转移到我们的隔离式栅极驱动器团队、他们将能够为您选择适用于此应用的隔离式栅极驱动器提供最佳帮助。  

此致、

Amy

感谢 Amy 提供的信息以及有关欠压锁定的良好说明。

当然、请继续、将此主题移动到合适的子论坛。

您好、Will：

感谢您推荐 UCC21550 和 UCC21231。 我将在当前设计中考虑它们。

查看 UCC21550 数据表、其预期目的是驱动两个 N 沟道晶体管、如“图 8-1 所示。 典型应用原理图“。 低侧 FET 源极连接到 VSSB/隔离接地、这与该应用中的用例不同。 在该图中 8-1 配置 IC 提供击穿保护。 驱动 P-/N 沟道 MOSFET 对时、该功能是否会丢失？

这让我想知道是否可以将 UCC21550 与两个 N 沟道 FET 配合使用？ 电缆的下侧或导线将连接到地、其上侧/导线将在 36V 和 24V 之间切换、如下图所示。

您建议使用哪种电荷泵电路来驱动上部 (36V) N 沟道 FET？ 由于电路可能会花费大部分时间来完全增强上部 N-FET 并为负载提供 36V 电压、例如上部晶体管开关的占空比肯定接近 100%、因此设计很复杂。