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如何针对以下用例计算 TPS552882QRPMRQ1 IC 和两个外部 N 沟道 MOSFET 上的耗散
1) 输入 8V/24V 和输出 12V @7.5A
在根据效率估算功耗时、计算出的损耗约为 10W、看起来非常高。
需要澄清该值是否现实、以及器件是否能够在这些条件下在 85°C 的环境温度下可靠运行。
谢谢
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如何针对以下用例计算 TPS552882QRPMRQ1 IC 和两个外部 N 沟道 MOSFET 上的耗散
1) 输入 8V/24V 和输出 12V @7.5A
在根据效率估算功耗时、计算出的损耗约为 10W、看起来非常高。
需要澄清该值是否现实、以及器件是否能够在这些条件下在 85°C 的环境温度下可靠运行。
谢谢
尊敬的 Elbin:
10W 是一个非常夸张的功率耗散值。 请使用计算工具估算:
https://www.ti.com/tool/download/SLVRBF9
结果可以看出、 功率耗散约为 2W、 温升约为 81.4C。 由于热关断为 175°C、因此它可以工作但很容易满足热关断要求。
