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[参考译文] TPS552882-Q1:功率耗散计算

Guru**** 2604225 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS55288

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1580641/tps552882-q1-power-dissipation-calculation

器件型号:TPS552882-Q1
主题中讨论的其他器件:TPS55288

如何针对以下用例计算 TPS552882QRPMRQ1 IC 和两个外部 N 沟道 MOSFET 上的耗散

1) 输入 8V/24V 和输出 12V @7.5A

在根据效率估算功耗时、计算出的损耗约为 10W、看起来非常高。


需要澄清该值是否现实、以及器件是否能够在这些条件下在 85°C 的环境温度下可靠运行。

谢谢

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    尊敬的 Elbin:

    专家明天将回复您、感谢您的帮助。

    BRS、

    布莱斯

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    尊敬的 Bryce Xun :

    感谢您的更新。 我将等待明天的响应。

    此致、

    Elbin

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    尊敬的 Elbin:

    10W 是一个非常夸张的功率耗散值。 请使用计算工具估算:

    https://www.ti.com/tool/download/SLVRBF9

    结果可以看出、 功率耗散约为 2W、  温升约为 81.4C。 由于热关断为 175°C、因此它可以工作但很容易满足热关断要求。

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    尊敬的 Chen 、

    感谢您的答复。

    如果 TPS55288 在升压模式下运行、大部分功率损耗应发生在 IC 内。 根据效率 (94.2%)、我计算出的功率耗散约为 5.5W、但 TI 计算器仅显示约 2.2W

    您能否帮助解释一下我在手动计算中可能缺少哪些其他参数或损耗分量?

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    尊敬的 Elbin:

    请参阅 TI 计算器。  

    谢谢、

    Colin

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    尊敬的 Chen 、

    感谢您的支持

    此致、

    Elbin