大家好、请帮助我。
正如我们在过去讨论过的、LM74912-Q1 出现了意外行为。
LM74912-Q1:闭锁条件 — 电源管理论坛-电源管理 — TI E2E 支持论坛

该问题可以通过增大击穿电路检测电路的滤波电容器来解决、
从建议的 3300pF 增加到 0.1uF。
但是、在进入大规模生产阶段时、我需要评估这些电路参数能够始终如一地处理未来的工艺、温度和电源电压波动。
如果无法进行此确认、我将需要找到另一个解决方案。
考虑到项目时间表、如果可能、我需要在下一两周内做出这一决定。
鉴于以上背景、我想了解 LM74912-Q1 检测过流的机制。
从之前的测试结果来看、当输入电压波动时、输入 FET Q1 看起来会导通然后关断、大约 28mA 的低电流会从 CS+引脚流出。 当该电流流过 Rset(3k Ω)时、我们相信 CS+和 ISCP 引脚之间的电压将超过过流阈值电压、从而导致过流保护电路发生锁存。
如果此电流不超过当前观察到的 28mA、我们可以得出反措施电路有效的结论。
为此、我们需要了解过流电流的发生方式、确定其原因、并基于该机制确定最坏情况、并验证该假设。
如果您能在设计工程师的帮助下分析这个机制并告诉我最坏的情况、我将不胜感激。
此致、
柳介






